[发明专利]用于生成式制造三维物体的方法和设备有效
申请号: | 201710797475.1 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN107791517B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | M·沙德 | 申请(专利权)人: | EOS有限公司电镀光纤系统 |
主分类号: | B29C64/153 | 分类号: | B29C64/153;B29C64/35;B22F10/28;B28B1/00;B33Y40/00 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 姜雁琪 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 生成 制造 三维 物体 方法 设备 | ||
1.一种在生成式制造三维物体(2)的过程中产生顶盖气体流(44)的方法,通过布置在处理室中的构建区域(10)内的构建材料(13)的逐层施加和选择性固化在处理室(3)内进行所述生成式制造,
其中,所述处理室具有处理室壁(4),所述处理室壁具有处理室顶盖(4a),所述处理室顶盖位于所述构建区域(10)上方,
其中,至少暂时地在所述物体(2)的制造之前和/或期间和/或之后,处理气体的顶盖气体流(44)流动经过所述处理室(3),所述顶盖气体流以受控的方式从所述处理室顶盖(4a)朝向所述构建区域(10)流动,并且
其中,所述顶盖气体流(44)通过形成在所述处理室顶盖(4a)中的多个顶盖入口被供应到所述处理室(3),所述顶盖入口分布在所述处理室顶盖(4a)的区域上,并且被设计和/或被布置和/或被控制成使得当所述顶盖气体流(44)离开所述顶盖入口时,所述顶盖气体流基本垂直于所述构建区域(10)被向下引导到所述构建区域上,
其中,所述处理室顶盖包括具有壁的中空空间(73),所述中空空间在远离所述处理室(3)的外壁区域(74)处是基本封闭的,并且所述中空空间在毗邻所述处理室(3)的内壁区域处具有顶盖入口,其中,所述内壁区域基本上由板形成,并且所述顶盖入口至少部分地由所述板的孔(53)形成,所述板具有至少100个孔。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述顶盖入口被成形和/或被布置和/或被控制成使得,所述顶盖气体流(44)在所述处理室(3)的区域内被基本均匀地成形,
所述处理室的所述区域包括在所述构建区域(10)的竖向上方处理室高度的至少最靠下十分之一,所述处理室高度为从所述构建区域直至所述处理室顶盖(4a)沿竖向方向测量的高度,和/或
所述处理室的所述区域在所述构建区域(10)的平面内和/或在所述构建区域(10)上方的平行平面内包括至少所述构建区域(10)的区域。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述处理室的所述区域包括在所述构建区域(10)的竖向上方处理室高度的至少最靠下五分之一。
4.根据权利要求2所述的方法,其中,所述处理室的所述区域包括在所述构建区域(10)的竖向上方处理室高度的至少最靠下三分之一。
5.根据权利要求2所述的方法,其中,所述处理室的所述区域在所述构建区域(10)的平面内和/或在所述构建区域(10)上方的平行平面内包括所述构建区域的周围区域。
6.根据权利要求2所述的方法,其中,所述处理室的所述区域在所述构建区域(10)的平面内和/或在所述构建区域(10)上方的平行平面内包括处理室底部(4b)的基本上整个区域。
7.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述处理室(3)具有处理室底部(4b),所述处理室底部位于所述处理室顶盖(4a)下方,并且所述构建区域(10)在所述处理室底部(4b)的部分区域上延伸,并且处理室顶盖(4a)处的顶盖入口的开口横截面面积相对于所述处理室底部(4b)的总面积的分布是基本均匀的,其中,所述顶盖入口被设计和/或被布置和/或被控制成使得,当所述顶盖气体流(44)的部分顶盖气体流离开所述顶盖入口时,所述部分顶盖气体流基本垂直于所述构建区域(10)向下被相应地引导到所述处理室底部(4b)上。
8.根据权利要求1或2所述的方法,其中,至少暂时地在所述构建材料(13)的选择性固化之前和/或期间和/或之后,所述顶盖气体流(44)流动经过所述处理室(3)。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,基本上在选择性固化的整个过程期间,所述顶盖气体流(44)流动经过所述处理室(3)。
10.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述孔的平均开口横截面面积不超过10cm2,和/或
其中,所述孔的开口横截面面积的总和不超过处理室底部(4b)的总面积的20%。
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