[发明专利]半导体存储装置

说明书

本发明的实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：电源垫；第1存储体，具备多个存储单元；第2存储体，夹在电源垫与第1存储体之间，且具备多个存储单元；第1配线，连接在电源垫，对第2存储体供给电源；及第2配线，连接在电源垫，通过第2存储体上，不对第2存储体供给电源，而是对第1存储体供给电源。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2017-60041号(申请日：2017年3月24日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术

MRAM(Magnetic Random Access Memory，磁性随机存取存储器)是存储信息的存储单元使用了具有磁阻效应(magnetoresistive effect)的磁性元件的存储设备，作为以高速动作、大容量、非易失性为特征的下一代存储设备备受关注。另外，正在研究及开发将MRAM作为DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)或SRAM(StaticRandom Access Memory，静态随机存取存储器)等易失性存储器的替代品。这时，要控制开发成本且顺利地进行替换，理想的是使MRAM以和DRAM及SRAM相同的规格动作。

发明内容

本发明的实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。

实施方式的半导体存储装置具备：电源垫；第1存储体(bank)，具备多个存储单元；第2存储体，夹在电源垫与第1存储体之间，且具备多个存储单元；第1配线，连接在电源垫，对第2存储体供给电源；及第2配线，连接在电源垫，通过第2存储体上，不对第2存储体供给电源，而是对第1存储体供给电源。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的框图。

图2是表示第1实施方式的半导体存储装置的存储体的框图。

图3是表示第1实施方式的半导体存储装置的存储单元MC的框图。

图4是表示第1实施方式的半导体存储装置的读出电路的框图。

图5是表示第1实施方式的半导体存储装置的读出电路的框图。

图6是表示第1实施方式的半导体存储装置的电源线的配线的布局图。

图7是沿着图6的A-A线的剖视图。

图8是沿着图6的B-B线的剖视图。

图9是表示第1实施方式的半导体存储装置的读出动作的流程图。

图10是表示第1实施方式的半导体存储装置的读出动作时的电压波形的波形图。

图11是表示第1实施方式的比较例的半导体存储装置的电源线的配线的布局图。

图12是表示第1实施方式的半导体存储装置的读出动作的图。

图13是表示第1实施方式的比较例的半导体存储装置的读出动作时的电压波形的波形图。

图14是表示第1实施方式的比较例的半导体存储装置的读出动作时的电压波形的波形图。

图15是表示第1实施方式的变化例1的半导体存储装置的电源线的配线的布局图。

图16是表示第1实施方式的变化例2的半导体存储装置的电源线的配线的布局图。

图17是表示第1实施方式的变化例3的半导体存储装置的电源线的配线的布局图。

图18是表示第1实施方式的变化例4的半导体存储装置的电源线的配线的布局图。