[发明专利]微流道装置的制造方法和微流道装置

权利要求书

1.一种微流道装置的制造方法，其特征在于，所述方法包含有以下步骤：

步骤S1：提供一由玻璃材质制成的模具，所述模具具有一中空模穴以及围绕所述中空模穴的一挡墙，所述挡墙具有一不低于3毫米的高度；

步骤S2：将所述模具设置于一硅基板上，所述硅基板具有一对应所述中空模穴的成形面和一凸出于所述成形面的微流道阳模；

步骤S3：将一未硬化的聚二甲基硅氧烷倒入至所述中空模穴，并进行烘烤，以使所述聚二甲基硅氧烷硬化成一微流道装置；以及

步骤S4：使所述微流道装置脱离所述中空模穴与所述硅基板，所述微流道装置具有一对应于所述微流道阳模的微流道结构，且所述微流道装置的侧壁高度介于3毫米至30毫米之间。

2.根据权利要求1所述的微流道装置的制造方法，其特征在于，所述硅基板的制备包含以下步骤：

在所述硅基板的所述成形面上形成一图形化光阻遮罩，再对所述硅基板进行蚀刻，而在所述硅基板上形成所述微流道阳模；以及

移除所述图形化光阻遮罩。

3.根据权利要求1所述的微流道装置的制造方法，其特征在于，在所述步骤S2之后，还包含有以下步骤：

步骤S2A：在所述中空模穴与所述成形面上涂布一脱模剂，所述脱模剂选自于由氟系列脱模剂、蜡系列脱模剂、表面活性剂、以及它们的组合所组成的群组。

4.根据权利要求1所述的微流道装置的制造方法，其特征在于，在所述步骤S3之中，还包含有以下步骤：

步骤S3A：将一高分子材料与一硬化剂混合形成所述聚二甲基硅氧烷，所述高分子材料与所述硬化剂的重量比例介于8比1至12比1之间；

步骤S3B：将未硬化的所述聚二甲基硅氧烷倒入至所述中空模穴内，并置于负压的环境下，使所述聚二甲基硅氧烷内的气泡浮出并破裂；以及

步骤S3C：烘烤以硬化所述聚二甲基硅氧烷而形成所述微流道装置。

5.根据权利要求4所述的微流道装置的制造方法，其特征在于，所述高分子材料为一聚硅氧烷。

6.根据权利要求1所述的微流道装置的制造方法，其特征在于，所述模具与所述硅基板直接接触。

7.根据权利要求1所述的微流道装置的制造方法，其特征在于，通过一阳极接合法而使所述模具与所述硅基板之间产生一键结而结合。

8.根据权利要求1所述的微流道装置的制造方法，其特征在于，所述模具的所述中空模穴的至少一边角经一圆滑处理而成为一圆滑角。

9.根据权利要求8所述的微流道装置的制造方法，其特征在于，通过一激光加工法进行所述圆滑处理。

10.一种微流道装置，其特征在于，所述微流道装置是使用根据权利要求1至9中任一项所述的方法制成的。