[发明专利]发送机、集成电路、检测部及集成电路的试验方法有效
| 申请号: | 201710795677.2 | 申请日: | 2017-09-06 |
| 公开(公告)号: | CN107800445B | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
| 发明(设计)人: | 高桥贵纪 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H04B1/02 | 分类号: | H04B1/02;H04B1/04;H04B17/16;H04B17/19 |
| 代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发送机 集成电路 检测 试验 方法 | ||
本发明涉及发送机、集成电路、检测部及集成电路的试验方法,其目的在于得到能够提高试验精度的发送机、集成电路、检测部及集成电路的试验方法。本发明涉及的集成电路具有:发送电路,其发送毫米波信号;检测部,其对毫米波信号进行检测;输出端子,其通过第1配线与该发送电路的输出连接;检测端子,其与该输出端子相邻地设置,通过第2配线与该检测部的输入连接;第1接地端子,其与该输出端子相邻地设置,通过第1接地配线与该发送电路连接,用于将该发送电路接地;以及第2接地端子,其与该检测端子相邻地设置,通过第2接地配线与该检测部连接,用于将该检测部接地,该第1接地配线和第2接地配线配置于该第1配线和该第2配线的周围。
技术领域
本发明涉及发送机、集成电路、检测部及集成电路的试验方法。
背景技术
在专利文献1中公开了接收装置。该接收装置所具有的高频信号发生部与接收信号路径的输入端经由形成于晶片之上的能够切断的配线而连接。在晶片阶段的试验时,由高频信号产生部产生试验用的高频信号。将该高频信号发送至接收信号路径的输入端,从接收装置进行输出。由接收装置外部的试验装置接收该输出信号,进行各种试验处理。
专利文献1:日本特开2006-134963号公报
通常,在无线通信装置及雷达装置中,作为载波使用从微米波至毫米波区域的高频信号。作为生成载波的单元,有时使用半导体集成电路。半导体集成电路有可能混有不合格品。另外,在半导体集成电路的特性中,产生由制造波动导致的变动。因此,需要进行半导体集成电路的出厂工序中的试验、半导体集成电路安装后的功能试验及调整工序。
通常,在半导体集成电路的出厂工序的试验中,使半导体集成电路的端子与接触探针接触而进行试验。接触探针通过长度方向的定位而确保与端子的接触状态。因此,接触探针有时成为在长度方向移动的构造。此时,接触探针有时具有大的寄生电感成分。因此,在亚毫米波及毫米波的高频区域中,有时难以进行高精度的试验。
因此,通常在高频区域的试验中使用高频用的探针。高频用的探针有时价格高。另外,高频用的探针有时难以应对BGA(Ball Grid Array)等多端子的封装。另外,在试验中有时需要特殊的测定系统。因此,存在试验成本变高的问题。
为了降低试验成本,想到将试验电路内置于半导体集成电路而进行试验的方法。在该方法中,通过半导体集成电路产生试验用的高频信号,进行试验。然而,在该方法中,不能够进行半导体集成电路的实际的端子输出结果的试验。
另外,就硅类的器件而言,为了提高动作速度,有时将栅极长度变短,并且将基极厚度变薄。因此,耐压降低。因此,有时难以输出高发送功率。另外,如果输出高发送功率,则有时功率负载效率下降。因此,有时需要适应于高发送功率且高效率的砷化镓(GaAs)类的HPA(High Power Amplifier)。此时,想到将由硅形成的半导体集成电路和由GaAs形成的HPA组装于模块而使用。在这里,半导体集成电路所内置的试验电路只能进行半导体集成电路内部的试验,由GaAs形成的部分不能进行试验。因此,存在只能进行硅类器件的试验,不能进行模块整体的试验的问题。
在专利文献1所示的方法中,在将毫米波等波长短的信号作为试验用的信号来使用的情况下,会想到形成于晶片之上的试验用的配线比试验用的信号的波长长。因此,有可能由于配线阻抗的偏差导致试验精度劣化。另外,在后续工序中切断试验用的配线。在切断后,由于剩余的配线的阻抗的影响,模块的设计有可能变得困难。并且,在如BGA封装这样,端子远离芯片的边缘的情况下,有时配线长度变长。因此,想到配线阻抗的影响变大。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而提出的,其目的在于得到能够提高试验精度的发送机、集成电路、检测部及集成电路的试验方法。
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