[发明专利]内部电压产生电路

说明书

一种内部电压产生电路，其包括比较电路、驱动信号产生电路和驱动电路。比较电路响应于参考电压从内部电压产生比较信号。驱动信号产生电路响应于比较信号产生具有不同占空比的上拉驱动信号和下拉驱动信号。驱动电路响应于上拉驱动信号和下拉驱动信号来驱动内部电压。

(相关申请的交叉引用)

本申请要求于2016年11月28日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0159691号韩国申请的优先权，该申请通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开的实施方案涉及一种产生内部电压的内部电压产生电路。

背景技术

一般情况下，半导体存储装置接收来自外部系统的电源电压VDD和接地电压VSS以产生内部电压，内部电压用于操作构成各半导体存储装置的内电路。用于操作半导体存储装置的内电路的内部电压可以包括供应至存储核心区域的核心电压VCORE、用于驱动或过驱动字线的高电压VPP以及施加至存储核心区域中的NMOS晶体管的主体区(bulk region)(或衬底)的反向偏压VBB。

核心电压VCORE可以是正电压，该正电压低于由外部系统提供的电源电压VDD。因此，可以通过将电源电压VDD降低到一定电平来产生核心电压VCORE。与此相反，高电压VPP可以比电源电压VDD高，并且反向偏压VBB可以是比接地电压VSS低的负电压。因此，可能需要电荷泵电路来产生高电压VPP和反向偏压VBB。

发明内容

各实施方案涉及一种能够最小化死区的内部电压产生电路。

根据一个实施方案，内部电压产生电路包括比较电路、驱动信号产生电路和驱动电路。比较电路响应于参考电压从内部电压产生比较信号。驱动信号产生电路响应于比较信号产生具有不同占空比的上拉(pull-up)驱动信号和下拉驱动信号(pull-down)。驱动电路响应于上拉驱动信号和下拉驱动信号而驱动内部电压。

根据另一个实施方案，内部电压产生电路包括：第一比较电路、第一驱动信号产生电路、第二比较电路以及第二驱动信号产生电路。第一比较电路响应于参考电压从内部电压产生第一比较信号。第一驱动信号产生电路响应于第一比较信号产生具有不同占空比的第一上拉驱动信号和第一下拉驱动信号。第二比较电路响应于参考电压从内部电压产生第二比较信号。第二驱动信号产生电路响应于第二比较信号、第一上拉驱动信号以及第一下拉驱动信号产生第二上拉驱动信号和第二下拉驱动信号。当内部电压的电平比参考电压的电平低预定第一电压差或低更多时，第二比较信号具有第一逻辑电平。

附图说明

图1是框图，其示出了根据一个实施方案的内部电压产生电路的配置。

图2是电路图，其示出了包括在图1的内部电压产生电路中的驱动信号产生电路的实施方案的配置。

图3是电路图，其示出了包括在图1的内部电压产生电路中的驱动电路的实施方案的配置。

图4是时序图，其示出了图1的内部电压产生电路的操作。

图5是框图，其示出了根据另一实施方案的内部电压产生电路的配置。

图6是电路图，其示出了包括在图5的内部电压产生电路中的第一驱动信号产生电路的实施方案的配置。

图7是电路图，其示出了包括在图5的内部电压产生电路中的第一驱动电路的实施方案的配置。

图8是电路图，其示出了包括在图5的内部电压产生电路中的第二驱动信号产生电路的实施方案的配置。

图9和图10是电路图，它们示出了包括在图8的第二驱动信号产生电路中的逆变器(inverter)的实施方案。

图11是电路图，其示出了包括在图5的内部电压产生电路中的第二驱动电路的实施方案的配置。