[发明专利]半导体加工中控制曲度以控制叠对的位置特定的应力调节

权利要求书

1.一种用于校正晶片叠对的系统，所述系统包括：

计量模块，其被配置成测量衬底的曲度并生成曲度测量，所述曲度测量映射所述衬底的相对于一个或多个参考z高度值的z高度偏差，所述衬底具有工作表面并且具有与所述工作表面相反的背面表面，所述衬底具有初始叠对误差，所述初始叠对误差源自已经被执行以在所述衬底的所述工作表面上创建半导体器件的至少一部分的一个或多个微制造加工步骤；

控制器，其被配置成接收所述曲度测量并基于所述曲度测量产生叠对校正图案，所述叠对校正图案基于所述曲度测量定义对所述衬底上的在特定位置处的内应力的调整，其中，在所述叠对校正图案中所述衬底上的第一给定位置具有与所述衬底上的第二给定位置相比不同的定义的内应力调整；以及

加工模块，其具有衬底保持器和衬底处理部件，所述衬底处理部件被配置成根据所述叠对校正图案物理地修改所述衬底上的在特定位置处的所述衬底上的内应力，以得到所述衬底的经修改的曲度，具有所述经修改的曲度的衬底具有第二叠对误差，与所述初始叠对误差相比，所述第二叠对误差具有减小的叠对误差，

其中，所述加工模块被配置成以如下方式在所述衬底的所述背面表面上通过特定于位置的材料去除来修改所述衬底上的内应力：所述衬底上的所述第一给定位置与所述第二给定位置相比能够具有更多的去除材料，其中，所述加工模块被配置成将一个或多个膜添加到所述衬底的所述背面表面，然后选择性地在给定位置处从所述一个或多个膜去除材料。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述加工模块被配置成以如下方式不同地修改内应力：所述加工模块被配置成独立地修改所述衬底上的不同位置，使得所述不同位置中的至少一部分被彼此相比不同地修改。

3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述加工模块被配置成增加或减小所述衬底上的在特定位置处的内应力，其中，所述加工模块被配置成物理地修改所述衬底的所述工作表面或所述衬底的所述背面表面上的内应力。

4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述加工模块被配置成将所述衬底保持成使所述工作表面面朝上，同时物理地修改所述衬底的所述背面表面上的内应力。

5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述计量模块和所述加工模块在具有自动衬底处理系统的公共平台上，所述自动衬底处理系统将所述衬底自动地从所述计量模块移动到所述加工模块。

6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述加工模块被配置成以如下方式通过将颗粒以特定于位置的注入所述衬底的所述背面表面来修改所述衬底上的内应力：所述衬底上的所述第一给定位置与所述第二给定位置相比能够具有更多的注入的颗粒。

7.根据权利要求1所述的系统，其中，所述加工模块被配置成通过固化膜的特定于位置的温度调制来修改所述衬底上的内应力。

8.根据权利要求1所述的系统，其中，所述控制器被配置成基于所述工作表面的器件参数以及所述曲度测量来生成所述叠对校正图案。

9.根据权利要求1所述的系统，其中，所述控制器被配置成使用选自由平面内偏差、与参考平面的z高度偏差、对感兴趣的位置的多阶导数分析、Zernike多项式分析、像素化基函数优化和球贝塞尔函数组成的组的计算方法来生成所述叠对校正图案。