[发明专利]一种低温多晶硅面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅面板。

背景技术

低温多晶硅面板借着其高分辨率，高迁移率，低功耗等诸多优点已成为了目前平板显示产品中的明星产品，被广泛应用在例如苹果、三星、华为、小米、魅族等各大手机及平板电脑上，但由于低温多晶硅器件制程复杂，因此，制程中更容易引起ESD(Electro-Static discharge，静电释放)问题，而大量的电荷聚集会容易造成面板边缘栅极和多晶硅膜层炸伤，造成栅极和多晶硅膜层发生短路，从而将栅极信号输入到多晶硅膜层，引起点类不良，而这一现象多集中出现在面板的边缘，如何提高面板边缘像素的抗ESD能力已成为了面板行业工程师研究的热点之一。

目前，市面上大多数的多晶硅面板在边缘区域上设置有一列虚拟像素单元，其使用较多的两种设计方案如下：

1、如图1a所示，多晶硅面板的边缘上没有设置PV孔和ILD孔，即多晶硅膜层与虚拟像素单元之间的层间间隔层(ILD层)不设置开孔，从而将多晶硅膜层与虚拟像素单元之间完全绝缘隔开，且在虚拟像素单元与像素电极之间的钝化层(PV层)也没有设置开孔。该种方案的缺点是制程中多晶硅膜层上聚集的静电聚集时无法释放，容易引起炸伤。

2、如图1b所示，多晶硅面板的边缘上同时设置有PV孔和ILD孔，虚拟像素单元与显示区域的真实像素单元完全一样，即在多晶硅膜层与虚拟像素单元之间的层间间隔层(ILD层)上设置有开孔，且在虚拟像素单元与像素电极之间的钝化层(PV层)设置有开孔。该种方案的缺点是钝化层上设置有开孔，会导致公共电极与虚拟像素单元之间接通，容易造成多晶硅面板的边缘出现漏光。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种低温多晶硅面板，可以将多晶硅膜层上聚集的电荷导走，避免多晶硅面板的边缘炸伤，大幅度提高面板的抗ESD能力，提高产品良率，还可以防止多晶硅面板边缘出现漏光。

本发明提供的一种低温多晶硅面板，包括边缘区域，

所述边缘区域包括有：多晶硅膜层以及位于所述多晶硅膜层上方的层间间隔层；在所述层间间隔层上设置有一列虚拟像素单元，在该列所述虚拟像素单元上方设置有第一导电薄膜层，所述虚拟像素单元与所述第一导电薄膜层之间通过钝化层绝缘隔开；

该列所述虚拟像素单元包含有一列薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管电性连接的用于接入公共信号的数据线；

所述层间间隔层上设置有第一开孔，所述多晶硅膜层通过所述第一开孔与所述数据线电性连接。

优选地，在所述层间间隔层与所述多晶硅膜层之间还设置有栅绝缘层；

所述薄膜晶体管包括：栅极、漏极、源极；

所述栅极位于所述层间间隔层与所述栅绝缘层之间，所述源极和所述漏极位于所述层间间隔层上；

其中，所述第一开孔与所述漏极和所述源极正对，所述栅绝缘层与所述第一开孔正对的位置处设置有第二开孔所述数据线与所述源极电性连接，所述源极和所述漏极均穿过所述第一开孔和所述第二开孔与所述多晶硅膜层连接。

优选地，所述虚拟像素单元为所述边缘区域最外侧的一列像素单元。

优选地，所述数据线输入端的电压为0.1～0.4V。

优选地，所述多晶硅膜层下方设置有基板，在所述多晶硅膜层与所述基板之间制备有缓冲层。

优选地，所述层间间隔层上制备有平坦层。

优选地，所述缓冲层包括有SiN和/或SixOy，其中，x≥1，y≥1。

优选地，所述平坦层与所述钝化层之间制备有第二导电薄膜层。

优选地，所述第一导电薄膜层为像素电极，所述第二导电薄膜层为公共电极。

优选地，所述第一导电薄膜层和所述第二导电薄膜层均为铟锡氧化物半导体透明导电膜。

实施本发明，具有如下有益效果：本发明提供的低温多晶硅面板，在面板的边缘区域上，将虚拟像素单元与多晶硅膜层之间的层间间隔层设置开孔，将多晶硅膜层与虚拟像素单元上的数据线电性连接，从而可以通过该数据线将多晶硅膜层上聚集的电荷导走，避免多晶硅面板的边缘炸伤，大幅度提高面板的抗ESD能力，提高产品良率。其次，还将第一导电薄膜层与虚拟像素单元之间完全绝缘隔开，避免虚拟像素单元与第一导电膜层之间接通，从而防止多晶硅面板边缘出现漏光。

附图说明