[发明专利]一种塑封光耦解剖方法

说明书

技术领域

本发明属于元器件封装内部芯片分析技术领域，具体涉及一种塑封光耦解剖方法。

背景技术

随着半导体技术、光电子学的深入发展，光耦的应用越来越广泛，其发展也极其迅速。而塑封光耦是光耦比较典型的一种，其特点是结构比较特殊，种类多，内部还存在难以去除的导光胶。目前，GJB4027A-2006及GJB548B-2005中均无塑封光耦的解剖方法，塑封光耦的解剖一直是困扰我们最大的问题，对于立体结构的光耦，长期以来只能通过酸腐蚀的方法将塑封材料及导光胶去除，该方法会破坏塑封光耦的基本框架，同时使键合丝及芯片粘接也受到破坏而只剩下裸芯片，因发光二极管体积较小，其极易丢失，这样就使得对塑封光耦进行DPA中的键合强度试验变得不可能，同时也增加了对塑封光耦进行失效分析的难度。因此，如何完整地解剖芯片并保存光耦的键合系统和粘片结构，对正确地给出光耦的DPA结论或准确分析出失效原因就显得尤为重要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种塑封光耦解剖方法，解决立体结构的塑封光耦解剖后，无法进行键合强度试验及无法进行芯片粘接分析的问题，使得光耦解剖后，框架完整、芯片粘接及键合完整，可有效扩展塑封光耦的分析能力，即立体结构的塑封光耦也可进行键合强度试验及芯片粘接分析。

本发明采用以下技术方案：

一种塑封光耦解剖方法，通过X射线检查塑封光耦的内部结构，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除，对塑封光耦的发光部分和接收部分进行分离，然后采用浓硫酸浸泡的方式，去除芯片表面的导光胶，实现失效分析以及DPA工作中的键合强度及芯片粘接分析工作。

优选的，包括以下步骤：

S1、对塑封光耦进行X射线检查；

S2、对照步骤S1塑封光耦的X射线照片，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除；

S3、采用手动方式将光耦发光部分和接收部分分离，并将隔离片揭开，露出发光管；

S4、将分离后的光耦模块置于浓硫酸浸泡，至导光胶腐蚀完为止；

S5、清洗解剖后的光耦，并判断是否符合要求，如果符合，则完成芯片解剖；

S6、利用激光开封机对外键合点进行解剖，完整暴露出内外键合点，并判断是否符合要求，如果符合，则完成解剖。

优选的，步骤S2中，去除掉所述塑封光耦的正面、背面及两个侧面，且正面及背面均要将包裹光耦隔离片的塑封材料去除。

优选的，四个方向在解剖过程中，激光扫到塑封光耦框架时，所述激光的能量为30％。

优选的，步骤S4中，浓硫酸浸泡的温度为常温，浸泡时间为6～10分钟。

优选的，步骤S5中，将解剖后的光耦置于丙酮中进行超声清洗。

优选的，步骤S5中，将解剖后的光耦置于酒精中进行超声清洗。

与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：

本发明塑封光耦解剖方法通过X射线检查塑封光耦的内部结构，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除，对塑封光耦的发光部分和接收部分进行分离，然后采用浓硫酸浸泡的方式，去除芯片表面的导光胶，实现失效分析以及DPA工作中的键合强度及芯片粘接分析工作，能够完整地保留塑封光耦框架、键合及粘片系统，不存在发光二极管丢失的情况，方法简单，操作方便，可进行键合强度试验、粘片系统分析及单芯片测试分析。

进一步的，将分离后的光耦模块置于浓硫酸浸泡，至导光胶腐蚀完为止，不需要进行酸加热，相对于酸加热腐蚀器件塑封材料来说，比较安全，且不容易产生过腐蚀。

进一步的，采用激光解剖，激光扫到塑封光耦框架时，激光能量为30％，能清楚的看见器件的解剖过程，控制比较方便。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本发明涉及的塑封光耦基本结构示意图；

图2为本发明塑封光耦激光解剖过程第一步示意图；

图3为本发明塑封光耦激光解剖过程第二步示意图。

其中，1.光耦隔离片。

具体实施方式

本发明提供了一种塑封光耦解剖方法，通过对塑封光耦结构的研究，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除，最终把塑封光耦的发光部分和接收部分成功分离，然后采用浓硫酸浸泡的方式，将芯片表面的导光胶去除，实现失效分析及DPA工作中的键合强度及芯片粘接分析等工作。

请参阅图1，本发明塑封光耦解剖方法的具体步骤如下：