[发明专利]一种芯片修调电路及修调方法

权利要求书

1.一种芯片修调电路，其特征在于，包括：修调控制模块、固化电路模块和输出电路模块，所述固化电路模块包括第一固化子模块、第二固化子模块以及控制烧写所述第一固化子模块和所述第二固化子模块的烧写控制子模块；

所述修调控制模块，用于向所述固化电路模块输出根据所述芯片的测试参数确定的修调位；

所述固化电路模块，用于根据所述修调位，控制所述烧写控制子模块烧写所述第一固化子模块或者烧写所述第二固化子模块，并在烧写后将所述修调位转换为与被烧写的固化子模块对应的阻值变化；其中，所述第一固化子模块和所述第二固化子模块均为被烧写后阻值可变且属性相同的模块；

所述输出电路模块，用于根据所述阻值变化输出逻辑电平信号；

所述修调控制模块，还用于控制修调模式的开启与关闭，且为所述固化电路模块提供固化使能信号，并为所述输出电路模块提供复位信号；

所述修调控制模块包括反相器；

所述修调控制模块，通过所述反相器反转所述修调位的相位，得到与所述修调位相位相反的相位反转修调位；

所述烧写控制子模块包括第一与门、第二与门、第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS管以及第二PMOS管；

所述第一与门的第一输入端输入所述固化使能信号，所述第一与门的第二输入端输入所述修调位；

所述第二与门的第一输入端输入所述固化使能信号，所述第二与门的第二输入端输入所述相位反转修调位；

所述第一PMOS管的栅极连接所述第一与门的输出端，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一固化子模块第一端，所述第一PMOS管的源极连接公共地；

所述第二PMOS管的栅极连接所述第二与门的输出端，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二固化子模块第一端，所述第二PMOS管的源极连接公共地；

所述第一固化子模块第二端以及所述第二固化子模块第二端连接电源电压VDD；

其中，所述固化使能信号为高电平信号。

2.如权利要求1所述的芯片修调电路，其特征在于，所述输出电路模块包括复位置位RS锁存器，所述RS锁存器的第一输入端连接所述第一固化子模块第一端，所述RS锁存器的第二输入端连接所述第二固化子模块第一端，所述RS锁存器的输出端输出所述逻辑电平信号，其中，所述RS锁存器通过连接在所述第一固化子模块第二端与所述第二固化子模块第二端的VDD供电。

3.如权利要求2所述的芯片修调电路，其特征在于，所述RS锁存器包括第一或非门和第二或非门，所述第一或非门的第一输入端输入所述复位信号，所述第一或非门的第二输入端连接所述第一固化子模块第一端，所述第二或非门的第一输入端输入所述复位信号，所述第二或非门的第二输入端连接所述第二固化子模块第一端，所述复位信号为高电平信号。

4.如权利要求1至3任一项所述的芯片修调电路，其特征在于，所述第一固化子模块和所述第二固化子模块为熔丝fuse。

5.一种芯片，其特征在于，包括至少一组如权利要求1至4任一项所述的芯片修调电路。