[发明专利]一种用于对金属-陶瓷功能梯度材料进行电火花加工的加工电源及加工方法有效

专利信息
申请号: 201710786412.6 申请日: 2017-09-04
公开(公告)号: CN107552904B 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 王振龙;刘洪政;王玉魁;王浩然 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: B23H1/02 分类号: B23H1/02;B23H1/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳泉清
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 金属 陶瓷 功能 梯度 材料 进行 电火花 加工 电源 方法
【权利要求书】:

1.一种用于对金属-陶瓷功能梯度材料进行电火花加工的加工电源,其特征在于,它包括放电检测模块(1)、CPLD脉冲控制模块(2)、驱动模块(3)、高低电压选择电路(5)和电容选择电路(6);

放电检测模块(1)用于检测电极(7)与待加工部件(8)间的放电状态信号,还用于对待加工部件(8)的各层进行识别;待加工部件(8)为金属-陶瓷功能梯度材料,且从上至下依次为金属层、梯度层和陶瓷层;

放电检测模块(1)的控制信号输出端与CPLD脉冲控制模块(2)的控制信号输入端连接,CPLD脉冲控制模块(2)的脉冲控制信号输出端与驱动模块(3)的脉冲控制信号输入端连接;

驱动模块(3)用于对接收的控制信号进行隔离及功率放大,驱动模块(3)的高压选通信号输出端与高低电压选择电路(5)的高压选通信号输入端连,驱动模块(3)的低压选通信号输出端与高低电压选择电路(5)的低压选通信号输入端连,驱动模块(3)的高压驱动信号输出端与电容选择电路(6)的高压驱动信号输入端连接,驱动模块(3)的低压驱动信号输出端与电容选择电路(6)的低压驱动信号输入端连接;

高低电压选择电路(5),用于给电容选择电路(6)提供电源;

电容选择电路(6)的正向电源输出端与电极(7)连接;

电容选择电路(6)的正负向电源输出端与待加工部件(8)连接;且电极(7)与待加工部件(8)相对设置;

所述的高低电压选择电路(5)包括高压电源E1、低压电源E2、电阻R1、电阻R2、二极管D1、二极管D2、NPN型MOS管Mg和NPN型MOS管Md

高压电源E1的正极与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端与二极管D1的阳极连接,二极管D1的阴极与NPN型MOS管Mg的漏极连接,NPN型MOS管Mg的源极与NPN型MOS管Md的源极连接,NPN型MOS管Mg的栅极与驱动模块(3)的高压选通信号输出端连接;

低压电源E2的正极与电阻R2的一端连接,电阻R2的另一端与二极管D2的阳极连接,二极管D2的阴极与NPN型MOS管Md的漏极连接,NPN型MOS管Md的栅极与驱动模块(3)的低压选通信号输出端连接;

NPN型MOS管Mg的源极作为高低电压选择电路(5)的正向电压输出端;

高压电源E1的负极和低压电源E2的负极同时连接,并作为高低电压选择电路(5)的负向电压输出端。

2.根据权利要求1所述的一种用于对金属-陶瓷功能梯度材料进行电火花加工的加工电源,其特征在于,所述电容选择电路(6)包括加工电容C1、高能电容C2、NPN型MOS管Mc1和NPN型MOS管Mc2

加工电容C1的一端与NPN型MOS管Mg的源极、高能电容C2的一端和电极(7)的一端同时连接;

加工电容C1的另一端与NPN型MOS管Mc1的漏极连接,NPN型MOS管Mc1的源极与NPN型MOS管Mc2的源极和待加工部件(8)同时连接,NPN型MOS管Mc1的栅极与驱动模块(3)的低压驱动信号输出端连接;

高能电容C2的另一端与NPN型MOS管Mc2的漏极连接,NPN型MOS管Mc2的栅极与驱动模块(3)的高压驱动信号输出端连接。

3.根据权利要求1所述的一种用于对金属-陶瓷功能梯度材料进行电火花加工的加工电源,其特征在于,还包括状态显示模块(4);

状态显示模块(4)用于显示驱动模块(3)的工作状态。

4.根据权利要求2所述的一种用于对金属-陶瓷功能梯度材料进行电火花加工的加工电源,其特征在于,所述的NPN型MOS管Mg和NPN型MOS管Mc2采用IRFP460型号Mosfet实现。

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