[发明专利]一种DC-DC变换器及控制方法有效

专利信息
申请号: 201710785923.6 申请日: 2017-09-04
公开(公告)号: CN107592017B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 赵聪;李耀华;王平;李子欣;王哲 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 dc 变换器 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种DC-DC变换器,由高压直流侧平波电抗器L和m个高频链单元构成,m为正整数;所述的高频链单元包含n个级联的子模块SMi,1≤i≤n,i和n均为正整数、一个谐振电容Cs、一个谐振电感Ls、一台高频变压器HFT和一个低压直流侧H桥模块;所述的子模块SMi包含第一连接端子T1、第二连接端子T2及机械旁路开关K,其特征在于:第一个所述的高频链单元的第一个子模块SM1的第一连接端子T1与平波电抗器L的一端连接,平波电抗器L的另一端连接至高压直流侧的正极;第m个高频链单元的第n个子模块SMn的第二连接端子T2与高压直流侧的负极连接;第j个高频链单元的第i+1个子模块SMi+1的第一连接端子T1与第i个子模块SMi的第二连接端子T2连接,第i+1个子模块SMi+1的第二连接端子T2与第i+2个子模块SMi+2的第一连接端子T1连接,1≤j≤m,j为正整数;高频链单元的第一个子模块SM1的第一连接端子T1与谐振电容Cs的一端连接,谐振电容Cs与谐振电感Ls串联后与高频变压器HFT的连接端子a连接,高频链单元的第n个子模块SMn的第二连接端子T2与高频变压器HFT的连接端子b连接,高频变压器HFT的连接端子c、d与低压直流侧H桥模块的输入连接;所有低压直流侧H桥模块的输出正极并联,并联的低压直流侧H桥模块的输出正极与低压直流侧的正极连接;所有低压直流侧H桥模块的输出负极并联,并联的低压直流侧H桥模块的输出负极与低压直流侧的负极连接;

对所述的DC-DC变换器控制方法为:正常情况下,每一个所述高频链单元的n个级联子模块的第一连接端子T1和第二连接端子T2之间的机械旁路开关K均处于开路状态;n个级联子模块中的r个为冗余工作状态,r为整数且0≤r<n,即子模块的第一半导体开关S1为关断状态,第二半导体开关S2为导通状态;其余n-r个级联子模块输出带有直流偏置的高频方波电压,即子模块输出电压为正时,其第一半导体开关S1为导通状态,第二半导体开关S2为关断状态,子模块输出电压为零时,其第一半导体开关S1为关断状态,第二半导体开关S2为导通状态;高频链单元的低压直流侧H桥模块始终输出交流方波电压,即低压直流侧H桥模块输出方波电压为正时,其第一半导体开关Q1为导通状态,第二半导体开关Q2为关断状态,第三半导体开关Q3为关断状态,第四半导体开关Q4为导通状态,低压直流侧H桥模块输出方波电压为负时,其第一半导体开关Q1为关断状态,第二半导体开关Q2为导通状态,第三半导体开关Q3为导通状态,第四半导体开关Q4为关断状态;通过控制高频链单元级联子模块SMi产生的带有直流偏置的高频方波电压与低压直流侧H桥模块产生的高频方波电压之间的相位差,控制由高压直流侧向低压直流侧传输的功率。

2.如权利要求1所述的DC-DC变换器,其特征在于:当高频链单元内的任意一个子模块内部出现故障或损坏时,其第一连接端子T1和第二连接端子T2之间的机械旁路开关K闭合,使发生损坏或故障的子模块与电路其余部分的联系切断;发生故障的子模块被旁路后,剩余级联子模块仍然输出带有直流偏置的高频方波电压,DC-DC变换器仍能够正常运行。

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