[发明专利]一种带欠压保护的升压电容充电电路

权利要求书

1.一种带欠压保护的升压电容充电电路，其特征在于，包括电流比较器和检测充电环路，

所述检测充电环路包括运算放大器、功率二极管(D2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一NMOS管(MN1)、第一PMOS管(MP1)和第四PMOS管(MP4)，

运算放大器的反相输入端连接第一基准电压(Vref)，其输出端连接第四PMOS管(MP4)的栅极，第四PMOS管(MP4)的源极接输入电压(Vin)；

功率二极管(D2)的阳极连接第四PMOS管(MP4)的漏极，其阴极连接所述升压电容(C_boot)的上极板并通过第一电阻(R1)后连接第一PMOS管(MP1)的源极；

第一PMOS管(MP1)的栅极连接所述升压电容(C_boot)的下极板，其漏极连接第三电阻(R3)的一端和第一NMOS管(MN1)的漏极；

第二电阻(R2)的一端连接第三电阻(R3)的另一端、第一NMOS管(MN1)的源极和运算放大器的同相输入端，其另一端接地；

所述电流比较器包括第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第一反相器(INV1)、第二反相器(INV2)、第四电阻(Rf)和第一电容(Cf)，

第四电阻(Rf)的一端连接所述检测充电环路中第一NMOS管(MN1)的漏极，另一端连接第三NMOS管(MN3)的栅极并通过第一电容(Cf)后接地；

第二PMOS管(MP2)的栅漏短接并连接第三PMOS管(MP3)的栅极和第二NMOS管(MN2)的漏极，其源极连接第三PMOS管(MP3)的源极；

第二NMOS管(MN2)的栅极连接第二基准电压(Vref1)，其源极接地；

第三NMOS管(MN3)的漏极连接第三PMOS管(MP3)的漏极并通过第一反相器(INV1)和第二反相器(INV2)的串联结构后连接所述检测充电环路中第一NMOS管(MN1)的栅极，其源极接地。