[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201710781134.5 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN108122936B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 吉珉墡;康世贤;李泰渊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
多条沿第一方向延伸的行线;
包括多条第一列线和多条第二列线的多条列线,其中,所述多条列线与所述多条行线相交;以及
沿所述多条行线和所述多条列线排列的多个像素,其中所述多个像素包括多个像素组,其中所述多个像素组中的每个像素组都包括两个或更多像素,
其中所述多个像素中的每个像素都包括第一光电元件、第二光电元件、连接到所述第一光电元件的第一像素电路以及连接到所述第二光电元件的第二像素电路,并且
其中,在所述多个像素组中的每个像素组中,所述第一像素电路共享所述多条第一列线中的一条,所述第二像素电路共享所述多条第二列线中的一条。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一光电元件是有机光电二极管,并且所述第二光电元件是半导体光电二极管。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一像素电路中包含的晶体管的数量小于所述第二像素电路中包含的晶体管的数量。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,在所述多个像素组中的每个像素组中,所述第一像素电路顺次连接到所述多条第一列线中的一条,并且所述第二像素电路顺次连接到所述多条第二列线中的一条。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,在所述多个像素组中的每个像素组中,所述第一像素电路连接到所述多条第一列线中的所述一条的顺序与所述第二像素电路连接到所述多条第二列线中的所述一条的顺序相同。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个像素组中的每个像素组中包含的像素排列成方形矩阵。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一像素电路包括:浮置扩散区,所述第一光电元件产生的电荷在所述浮置扩散区内累积;复位晶体管,其复位所述浮置扩散区的电压;源极跟随器晶体管,其对所述浮置扩散区的电压进行放大以产生第一像素信号;以及,选择晶体管,其将所述第一像素信号输出至所述第一列线中的一条,并且
其中,所述浮置扩散区通过通路直接连接到所述第一光电元件。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第二像素电路包括:浮置扩散区,所述第二光电元件产生的电荷在所述浮置扩散区内累积;复位晶体管,其复位所述浮置扩散区的电压;转移晶体管,其将所述第二光电元件产生的电荷转移到所述浮置扩散区;源极跟随器晶体管,其对所述浮置扩散区的电压进行放大以产生第二像素信号;以及,选择晶体管,其将所述第二像素信号输出至所述第二列线中的一条。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,在每一个像素组中,共享所述多条第二列线中的所述一条的第二像素电路共享所述浮置扩散区、所述源极跟随器晶体管、所述复位晶体管和所述选择晶体管。
10.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
行驱动器电路,其用于为每一预定扫描周期选择所述多个像素中的一部分,其中,所述行驱动器电路将第一扫描信号输入到所述多个像素中被选择的部分中的每一像素的第一像素电路中,并且所述行驱动器电路将第二扫描信号输入到所述多个像素中被选择的部分中的每一像素的第二像素电路中;
连接到所述第一列线的第一读出电路,其中,所述第一读出电路检测所述多个像素中被选择的部分中的每一像素的第一像素电路输出的第一像素信号;以及
连接到所述第二列线的第二读出电路,其中,所述第二读出电路检测所述多个像素中被选择的部分中的每一像素的第二像素电路输出的第二像素信号。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,其中,在所述每一预定扫描周期,所述行驱动器电路将所述第一扫描信号输入至包含在所述第一像素电路内的选择晶体管,并且
其中,在所述每一预定扫描周期,所述行驱动器电路将所述第二扫描信号输入至包含在所述第二像素电路内的转移晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的