[发明专利]探针组件及其探针结构有效

专利信息
申请号: 201710779658.0 申请日: 2017-09-01
公开(公告)号: CN109425814B 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 苏伟志;谢智鹏 申请(专利权)人: 中华精测科技股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R1/073
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张福根;冯志云
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 探针 组件 及其 结构
【权利要求书】:

1.一种探针结构,其特征在于,所述探针结构包括:

一金属主体部,所述金属主体部具有一第一端部、一对应于所述第一端部的第二端部、一连接在所述第一端部与所述第二端部之间的连接部以及一围绕所述第一端部、所述第二端部以及所述连接部的环绕表面;

一披覆结构层,所述披覆结构层包括一设置在位于所述第一端部的所述环绕表面上且完全围绕在所述金属主体部的周围的第一披覆层、一设置在位于所述第二端部的所述环绕表面上且完全围绕在所述金属主体部的周围的第二披覆层以及一设置在位于所述连接部的所述环绕表面上且完全围绕在所述金属主体部的周围的第三披覆层;以及

一绝缘层,所述绝缘层设置在所述第三披覆层上,以裸露出所述第一披覆层以及所述第二披覆层;

其中,所述第一披覆层、所述第二披覆层及所述第三披覆层分别 为一强化层以及设置在所述强化层的一外表面上的一抗氧化层、一散热层以及一石墨烯层其中之一或两者以上所组成,所述第一披覆层、所述第二披覆层及所述第三披覆层的所述强化层分别 设置在位于所述第一端部、所述第二端部以及所述连接部上的所述环绕表面上;

其中,所述强化层的杨氏模量为100GPa以上,所述抗氧化层的氧化还原电位大于或等于-1.66V,所述散热层的热导率大于200W/mK。

2.根据权利要求1所述的探针结构,其特征在于,所述绝缘层的电阻率大于或等于108Ωm。

3.根据权利要求1或2所述的探针结构,其特征在于,所述金属主体部具有导电性,且所述金属主体部的电阻率小于5×102Ωm。

4.根据权利要求1所述的探针结构,其特征在于,所述第一披覆层、所述第二披覆层以及所述第三披覆层中的其中两个披覆层的结构相异。

5.根据权利要求1所述的探针结构,其特征在于,所述第一披覆层为所述强化层及所述石墨烯层所组成,所述第一披覆层的所述石墨烯层设置在所述第一披覆层的所述强化层的所述外表面上。

6.根据权利要求1所述的探针结构,其特征在于,所述第二披覆层为所述强化层及所述抗氧化层所组成,所述第二披覆层的所述抗氧化层设置在所述第二披覆层的所述强化层的所述外表面上。

7.根据权利要求1所述的探针结构,其特征在于,所述第二披覆层为所述强化层、所述抗氧化层及所述散热层所组成,所述第二披覆层的所述抗氧化层设置在所述第二披覆层的所述强 化层的所述外表面上,所述第二披覆层的所述散热层设置在所述第二披覆层的所述抗氧化层的一外表面上。

8.根据权利要求1所述的探针结构,其特征在于,所述第二披覆层为所述强化层、所述石墨烯层、所述抗氧化层及所述散热层所组成,所述第二披覆层的所述石墨烯层设置在所述第二披覆层的所述强化层的所述外表面上,所述第二披覆层的所述抗氧化层设置在所述第二披覆层的所述石墨烯层的一外表面上,所述第二披覆层的所述散热层设置在所述第二披覆层的所述抗氧化层的一外表面上。

9.根据权利要求1所述的探针结构,其特征在于,所述第三披覆层为所述强化层及所述散热层所组成,所述第三披覆层的所述散热层设置在所述第三披覆层的所述强化层的所述外表面上。

10.根据权利要求1所述的探针结构,其特征在于,所述第三披覆层为所述强化层、所述石墨烯层及所述散热层所组成,所述第三披覆层的所述石墨烯层设置在所述第三披覆层的所述强化层的所述外表面上,所述第三披覆层的所述散热层设置在所述第三披覆层的所述石墨烯层的一外表面上,所述绝缘层设置在所述散热层的一外表面上。

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