[发明专利]自由空间光隔离器芯片的切割方法及光隔离器微型芯片

权利要求书

1.一种自由空间光隔离器芯片的切割方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤M、预先将0°偏振片、法拉第片以及45°偏振片依次胶合固化后，形成整块光隔离器芯片；所述整块光隔离器芯片的尺寸为11mm*11mm；

步骤A、将硅片放置在一预先进行加热处理到预定温度的楔形黄铜垫块的倾斜面上；所述楔形黄铜垫块的倾斜面与水平方向成一预设的倾斜角度；

步骤B、将预先胶合完成的整块光隔离器芯片与硅片粘合并固化；

步骤C、启动切割机，并以一定的间距对整块光隔离器芯片进行竖直下刀切割，形成带有所述倾斜角度的光隔离器微型芯片。

2.根据权利要求1所述的自由空间光隔离器芯片的切割方法，其特征在于，所述步骤A之前还包括：

步骤S、预先在所述楔形黄铜垫块的倾斜面上涂覆黄蜡，并进行加热处理。

3.根据权利要求2所述的自由空间光隔离器芯片的切割方法，其特征在于，所述步骤S具体包括：

步骤S1、在所述楔形黄铜垫块的倾斜面上涂覆一层厚度为0.2mm~0.5mm的黄蜡；

步骤S2、将涂覆完黄蜡的所述楔形黄铜垫块放置在一加热台上，并以65°的温度进行加热处理；

步骤S3、所述黄蜡受热融化，在所述楔形黄铜垫块的倾斜面上形成均匀的黄蜡胶状层。

4.根据权利要求1所述的自由空间光隔离器芯片的切割方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：

步骤A1、将硅片放置在所述楔形黄铜垫块的倾斜面上；

步骤A2、所述楔形黄铜垫块的倾斜面上的黄蜡胶状层将所述硅片固定倾斜面上。

5.根据权利要求4所述的自由空间光隔离器芯片的切割方法，其特征在于，所述楔形黄铜垫块的倾斜面与水平方向的角度为7°。

6.根据权利要求4所述的自由空间光隔离器芯片的切割方法，其特征在于，所述硅片的厚度为0.7mm。

7.根据权利要求1所述的自由空间光隔离器芯片的切割方法，其特征在于，所述步骤B具体包括：

步骤B1、预先在所述硅片的上表面点上清洁胶；

步骤B2、将预先胶合完成整块光隔离器芯片放置在所述硅片的上表面上进行粘合并固化。

8.根据权利要求1所述的自由空间光隔离器芯片的切割方法，其特征在于，所述步骤C具体包括：

步骤C1、启动所述切割机，并调整所述切割机的主轴的角度，将所述切割机的主轴调整成竖直状态；

步骤C2、以一定的间距对所述整块光隔离器芯片进行竖直下刀切割，形成带有所述倾斜角度的光隔离器微型芯片；所述倾斜角度为7°，所述间距以μm为单位。

9.一种由权利要求1-8任一项所述的自由空间光隔离器芯片的切割方法制作的光隔离器微型芯片，其特征在于，所述光隔离器微型芯片是通过切割机对预先制作好的整块光隔离器芯片竖直下刀切割完成的；

所述光隔离器微型芯片包括：0°偏振片、法拉第片以及45°偏振片；

所述光隔离器微型芯片与水平方向角度为7°。