[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括：

衬底，包括第一区和第二区；以及

在所述第一区上用于第一器件的第一栅极结构；

在所述衬底结构的表面上形成刻蚀保护层；

在所述第二区上方的刻蚀保护层上形成掩模层，所述掩模层包含聚合物；

执行干法刻蚀，以使得所述第一栅极结构两侧的第一区被刻蚀以形成第一凹陷，并使得所述第一栅极结构的表面上的刻蚀保护层被去除；

去除所述掩模层，以形成半导体结构；

在去除所述掩模层后，执行灰化工艺；

在所述灰化工艺之后，利用光对所述半导体结构进行照射，所述照射包括对所述第一凹陷进行照射、以及对在所述第二区上方的刻蚀保护层进行照射；

在所述照射后，执行湿法刻蚀，以将所述第一凹陷形成为第二凹陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一器件包括MOS器件。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述MOS器件包括PMOS器件。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第二凹陷中外延生长SiGe。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述第二凹陷中外延生长SiGe之前，还包括：

利用光对所述第二凹陷进行照射。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底结构还包括在所述第二区上用于第二器件的第二栅极结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二器件包括NMOS器件。

8.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述光包括激光。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述激光的波长大于380nm。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述激光的波长范围为10nm至380nm。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述激光的波长小于10nm。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述激光包括第一激光、第二激光和第三激光中的多个；

所述第一激光的波长大于380nm；

所述第二激光的波长范围为10nm至380nm；

所述第三激光的波长小于10nm。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩模层包括光致抗蚀剂。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀保护层包括硅的氮化物或碳化硅。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀采用的刻蚀剂包括四甲基氢氧化铵。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅极结构包括：

在所述第一区上的第一栅极电介质层；

在所述第一栅极电介质层上的第一栅极；

在所述第一栅极的表面和侧壁上的第一硬掩模层。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述衬底结构的表面上形成刻蚀保护层之前，在所述衬底结构的表面上形成缓冲层。

18.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二栅极结构包括：

在所述第二区上的第二栅极电介质层；

在所述第二栅极电介质层上的第二栅极；

在所述第二栅极的表面和侧壁上的第二硬掩模层。