[发明专利]一种半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将陶瓷薄膜基底进行酸洗和碱洗净化，用高温水蒸气高温活化表层，处理30min；

（2） 在磁控溅射腔体内样品位置安装清洗好的陶瓷薄膜基底，再安装MoS₂ 靶材，靶材的纯度大于99.9%，靶材指向样品位，靶材与基底的距离为10-15cm；

（3）利用磁控溅射将MoS₂均匀溅射在陶瓷薄膜基底表层，形成二硫化钼薄膜材料初制品；

（4）将步骤（3）的二硫化钼薄膜材料初制品进行退火，即得成品。

2.根据权利要求1所述的半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的酸洗溶液为HCl:H₂O₂:H₂O为摩尔质量12:1:65。

3.根据权利要求1所述的半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的碱洗溶液为NH₄OH: H₂O₂:H₂O为摩尔质量15：1：65。

4.根据权利要求1所述的半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的酸洗和碱洗均在80℃左右，清洗10-15分钟。

5.根据权利要求1所述的半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的高温水蒸气温度为350-400℃。

6.根据权利要求1所述的半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中的磁控溅射参数为气压5-12Pa，基底温度为300-350℃，电压为1200-1800V，溅射时间为35-45min。

7.根据权利要求1所述的半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中的二硫化钼表层厚度为2-5μm。

8.根据权利要求1所述的半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中的退火温度为280-300℃，退火时间为5-10分钟。