[发明专利]一种晶圆切割方法

说明书

本发明提供了一种晶圆切割方法，包括：S1提供待切割晶圆片，晶圆片中包括生长衬底和外延结构；S2沿晶圆片中切割槽中心线的两侧，从晶圆片正面对外延结构分别进行切割直至露出生长衬底；S3沿晶圆片的切割槽中心线，从晶圆片正面进行切割至预设深度；S4沿切割槽中心线的切割切痕，从晶圆片背面对其进行劈裂，完成对晶圆片的切割，得到单颗管芯。以此避免现有技术中采用激光一次切割至指定深度的生长衬底的过程中，由大功率激光在晶圆沟槽表面聚集大量热量，因沟槽各类材料差异导致热量分布不均/散热异常等情况破坏管芯表面结构使芯片失效的情况出现。

技术领域

本发明涉及半导体发光二极管领域，特别涉及一种晶圆切割方法。

背景技术

LED是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，其发光原理是电激发光，即在PN结上加正向电流后，自由电子与空穴复合而发光，从而直接把电能转化为光能。LED,尤其是白光LED，作为一种新的照明光源材料被广泛应用着，它具有反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点而快速发展，目前已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。

激光切割广泛应用于半导体与LED芯片制造行业，用于将晶圆切割成晶粒。但是，目前的激光切割工艺一般都是采用一次切至指定深度(如图1所示，深度一般在衬底厚度的1/4到1/2之间)后再通过劈裂的方式使晶圆裂成单颗晶粒。当晶圆正面结构较复杂尤其多种金属与绝缘材料交叠时，因激光产生的热量分布不均，可能使器件失效，在量产过程中严重影响产品良率。

发明内容

针对上述问题，本发明旨在提供一种晶圆切割方法，有效提升晶圆片的切割效率和稳定性。

为达到上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种晶圆切割方法，包括：

一种晶圆切割方法，包括：

S1提供待切割晶圆片，所述晶圆片中包括生长衬底和外延结构；

S2沿晶圆片中切割槽中心线的两侧，从晶圆片正面对外延结构分别进行切割直至露出生长衬底；

S3沿晶圆片的切割槽中心线，从晶圆片正面进行切割至预设深度；

S4沿切割槽中心线的切割切痕，从晶圆片背面对其进行劈裂，完成对晶圆片的切割，得到单颗管芯。

进一步优选地，在步骤S2，沿晶圆片中切割槽中心线的两侧，从晶圆片正面对外延结构分别进行切割直至露出生长衬底中，具体为：

沿晶圆片中切割槽中心线的两侧，从晶圆片正面使用第一预设功率的激光对外延结构分别进行切割直至露出生长衬底。

进一步优选地，所述第一预设功率的功率范围为1～4W。

进一步优选地，在步骤S2中，沿切割槽中心线对称切割，且距离切割槽中心线预设距离进行切割。

进一步优选地，在步骤S2，沿晶圆片的切割槽中心线，从晶圆片正面进行切割至预设深度中，具体为：

沿晶圆片的切割槽中心线，从晶圆片正面使用第二预设功率的激光进行切割至预设深度，所述第二预设功率大于第一预设功率。

进一步优选地，所述第二预设功率的功率范围为4～10W。