[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括功能区和与所述功能区相邻的散热区；

有源鳍部，凸起于所述功能区的衬底表面；

沟道层，位于所述有源鳍部上；

散热鳍部，凸起于所述散热区的衬底表面，所述散热鳍部内具有沟槽，所述沟槽将所述散热鳍部分为沿延伸方向排列的多个散热部；

栅极结构，横跨所述沟道层且覆盖所述沟道层部分顶部和部分侧壁；

所述栅极结构延伸至所述沟槽内且沿所述沟槽贯穿所述散热鳍部。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述散热区位于所述功能区的两侧；或者，所述散热区和所述功能区交替设置。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底、所述有源鳍部以及所述散热鳍部为一体结构。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底、所述有源鳍部以及所述散热鳍部的材料均为Si。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述散热鳍部的数量小于或等于所述有源鳍部的数量。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述散热鳍部的数量为多个，所述多个散热鳍部平行设置，相邻散热鳍部之间的距离在30nm到100nm范围内。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，垂直所述有源鳍部延伸方向，所述散热区位于所述功能区的至少一侧；

所述散热鳍部平行于所述有源鳍部。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，相邻散热鳍部和有源鳍部之间的距离在40nm到90nm范围内。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：互联结构，位于所述栅极结构两侧的沟道层上，且延伸至所述散热部上。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为PMOS晶体管，所述沟道层的材料为SiGe。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为NMOS晶体管，所述沟道层的材料为III-V族半导体。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道层的材料为InGaAs或InAs。

13.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底包括功能区和与所述功能区相邻的散热区，所述功能区的衬底上具有有源鳍部，所述散热区的衬底上具有散热鳍部；

在所述衬底上形成介质层，所述介质层露出所述有源鳍部；

去除部分高度的所述有源鳍部，在所述介质层内形成鳍部开口；

在所述鳍部开口内剩余的有源鳍部上形成沟道层。

14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，形成衬底的步骤包括：

提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的鳍部材料层，所述衬底包括功能区和与所述功能区相邻的散热区；

在所述鳍部材料层上形成鳍部掩膜；

以所述鳍部掩膜为掩膜，刻蚀所述鳍部材料层，形成凸起于所述功能区衬底的所述有源鳍部和凸起于所述散热区衬底的所述散热鳍部。

15.如权利要求14所述的形成方法，其特征在于，还包括：

形成所述散热鳍部和所述有源鳍部之后，形成介质层之前，刻蚀所述散热鳍部，在所述散热鳍部内形成沟槽，所述沟槽将所述散热鳍部分为沿延伸方向排列的多个散热部。