[发明专利]一种预制背面薄膜的应力控制方法及结构有效
| 申请号： | 201710775897.9 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107611012B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 姚兰;吕震宇;陈俊;胡思平;戴晓望;朱继锋;肖莉红;郑阿曼;鲍琨;杨号号;朱紫晶;罗世金;肖攀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 预制 背面 薄膜 应力 控制 方法 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种预制背面薄膜的应力控制方法，所述方法包括如下步骤：
在晶圆的背面形成一层或者多层应力薄膜；所述一层或者多层应力薄膜为氮化硅和/或氧化硅薄膜；在形成过程中，对上述某一层或多层氮化硅和/或氧化硅薄膜进行离子注入；
在晶圆正面形成半导体器件层；所述半导体器件层为外围器件和/或阵列器件；
通过间歇性打薄晶圆背面的所述一层或者多层应力薄膜的全部或者一部分使得所述晶圆的弯曲平衡至水平。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
通过化学气相沉积(CVD)或者物理气相沉积(PVD)工艺形成所述一层或者多层应力薄膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述离子注入为N离子注入或者P离子注入。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
通过化学气相沉积(CVD)或者物理气相沉积(PVD)工艺形成所述半导体器件层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述打薄的工艺采用研磨或者机械抛光。
6.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括根据权利要求1-5任意一项所述的方法制备的应力控制结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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