[发明专利]一种3D NAND存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底中形成有公共有源区，所述衬底包括外围电路区域和核心存储区域，所述公共有源区位于核心存储区域，所述外围电路区域上形成有CMOS器件，所述外围电路区域的CMOS器件之上形成有覆盖层；其中，所述外围电路区域的衬底低于所述核心存储区域的衬底，所述外围电路区域的沟槽隔离与所述核心存储区域的沟槽隔离一同形成，具体包括：在所述衬底上形成掩膜层；以掩膜层为掩蔽进行刻蚀，在所述外围电路区域和所述核心存储区域上形成沟槽；淀积隔离材料，所述隔离材料覆盖所述外围电路区域和所述核心存储区域；利用化学机械研磨工艺，去除所述核心存储区域掩膜层上的隔离材料；利用刻蚀工艺，去除所述外围电路区域掩膜层上的隔离材料；去除掩膜层；

刻蚀所述公共有源区所在的衬底，以形成凸台；

在所述凸台两侧形成氧化物的填充层；

在所述凸台上形成氮化硅层与氧化硅层交替层叠的堆叠层；

刻蚀所述堆叠层，在对应于凸台的区域上形成沟道孔，所述沟道孔暴露凸台表面，所述沟道孔用于形成存储区。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述外围电路区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域上的CMOS器件的栅介质层的厚度不同。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述覆盖层，包括：

在外围电路区域形成CMOS器件之后，进行覆盖层的淀积；

通过刻蚀去除所述核心存储区域上的覆盖层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述凸台两侧形成氧化物的填充层，包括：

淀积氧化物材料，所述氧化物材料覆盖所述外围电路区域和所述核心存储区域；

进行化学机械研磨，以在所述凸台两侧形成氧化物的填充层。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在形成填充层的步骤中，进行化学机械研磨之后，所述凸台的表面仍覆盖有一定厚度的氧化物材料。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述沟道孔中形成存储区；去除所述堆叠层中的氮化硅层，并形成替代氮化硅层的金属层。