[发明专利]一种测量深孔侧壁薄膜厚度的方法及装置有效
申请号: | 201710775180.4 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107560557B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 邓常敏;周毅;芈健;张硕;陈子琪 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G01B11/06 | 分类号: | G01B11/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘佳;王宝筠 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 深孔 侧壁 测量 实际光谱 侧壁薄膜 多层薄膜 沉积 椭圆偏振光谱法 薄膜沉积过程 几何结构参数 逐层沉积 申请 保证 | ||
1.一种测量深孔侧壁薄膜厚度的方法,其特征在于,所述方法包括:
在深孔中没有沉积任何薄膜之前,采用椭圆偏振光谱法对所述深孔进行测量,以获取第一实际光谱,并根据所述第一实际光谱测量所述深孔的几何结构参数,其中,根据所述几何结构参数确定出的第一理论光谱与所述第一实际光谱是可拟合的;
在所述深孔侧壁的表面沉积第一层薄膜之后,采用椭圆偏振光谱法对所述深孔进行测量,以获取第二实际光谱,并根据所述第二实际光谱测量所述第一层薄膜的厚度,其中,根据所述几何结构参数和所述第一层薄膜的厚度确定出的第二理论光谱与所述第二实际光谱是可拟合的;
在所述第一层薄膜的表面沉积第二层薄膜之后,采用椭圆偏振光谱法对所述深孔进行测量,以获取第三实际光谱,并根据所述第三实际光谱测量所述第二层薄膜的厚度,其中,根据所述几何结构参数、所述第一层薄膜的厚度和所述第二层薄膜的厚度确定出的第三理论光谱与所述第三实际光谱是可拟合的。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一实际光谱测量所述深孔的几何结构参数包括:
设置所述几何结构参数的初始值,根据所述几何结构参数的初始值计算第一初始理论光谱;
将所述第一初始理论光谱与所述第一实际光谱进行拟合,判断所述第一初始理论光谱与所述第一实际光谱的拟合度是否超出第一阈值;
若所述第一初始理论光谱与所述第一实际光谱的拟合度超出所述第一阈值,则确定所述几何结构参数的初始值为所述几何结构参数,所述第一初始理论光谱为所述第一理论光谱;
若所述第一初始理论光谱与所述第一实际光谱的拟合度没有超出所述第一阈值,则返回执行设置所述几何结构参数的初始值,根据所述几何结构参数的初始值计算所述第一初始理论光谱。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述第二实际光谱测量所述第一层薄膜的厚度包括:
设置所述第一层薄膜的厚度的初始值,根据所述第一层薄膜的厚度的初始值计算第二初始理论光谱;
将所述第二初始理论光谱与所述第二实际光谱进行拟合,判断所述第二初始理论光谱与所述第二实际光谱的拟合度是否超出第二阈值;
若所述第二初始理论光谱与所述第二实际光谱的拟合度超出所述第二阈值,则确定所述第一层薄膜的厚度的初始值为所述第一层薄膜的厚度,所述第二初始理论光谱为所述第二理论光谱;
若所述第二初始理论光谱与所述第二实际光谱的拟合度没有超出所述第二阈值,则返回执行设置所述第一层薄膜的厚度的初始值,根据所述第一层薄膜的厚度的初始值计算所述第二初始理论光谱。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述第二实际光谱测量所述第二层薄膜的厚度包括:
设置所述第二层薄膜的厚度的初始值,根据所述第二层薄膜的厚度的初始值计算第三初始理论光谱;
将所述第三初始理论光谱与所述第三实际光谱进行拟合,判断所述第三初始理论光谱与所述第三实际光谱的拟合度是否超出第三阈值;
若所述第三初始理论光谱与所述第三实际光谱的拟合度超出第三阈值,则确定所述第二层薄膜的厚度的初始值为所述第二层薄膜的厚度,所述第三初始理论光谱为所述第三理论光谱;
若所述第三初始理论光谱与所述第三实际光谱的拟合度没有超出第三预设条件,则返回执行设置所述第二层薄膜的厚度的初始值,根据所述第二层薄膜的厚度的初始值计算所述第三初始理论光谱。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一层薄膜的厚度和所述第二层薄膜的厚度均小于/等于第四阈值。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一层薄膜的性质和所述第二层薄膜的性质相似。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述第二层薄膜的表面沉积第三层薄膜之后,采用椭圆偏振光谱法对所述深孔进行测量,以获取第四实际光谱,并根据所述第四实际光谱测量所述第三层薄膜的厚度,其中,根据所述几何结构参数、所述第一层薄膜的厚度、所述第二层薄膜的厚度和所述第三层薄膜的厚度确定出的第四理论光谱与所述第四实际光谱是可拟合的。
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