[发明专利]一种晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 201710775167.9 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107611010A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 刘开源 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 党丽,王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 | ||
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，在衬底上形成具有3D NAND器件的堆叠层，在所述堆叠层中形成沟道孔之后，在沟道孔形成存储层之前，进行晶圆清洗，所述晶圆清洗包括：采用清洗液进行清洗，而后，进行IPA转动干燥。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆叠层由氧化硅与氮化硅交替层叠形成，所述沟道孔通过干法刻蚀形成。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用清洗液进行清洗，包括：
采用SC1清洗液进行第一清洗；
采用去离子水进行第二清洗；
采用SC2清洗液进行第三清洗；
采用去离子水进行第四清洗。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一清洗的工艺包括：
SC1清洗液中各组分的比例范围为NH4OH：H2O2：H2O＝1:2:50～1∶2∶100，温度范围为35～50℃，清洗的时间范围为32～62s。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三清洗的工艺包括：
SC2清洗液中各组分的比例范围为HCl：H2O2：H2O＝1:1:50～1∶1∶100，温度范围为25～35℃，清洗的时间范围为65～75s。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述沟道孔的深度大于3um。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述进行IPA转动干燥的工艺包括：所述沟道孔的宽度为100-300nm。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，采用清洗液进行清洗时，采用单片式机台。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
