[发明专利]像素电路、驱动方法和显示装置在审
| 申请号: | 201710773986.X | 申请日: | 2017-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN107369410A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
| 发明(设计)人: | 曲加伟;李林宣;张陶然;廖文骏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,刘伟 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 电路 驱动 方法 显示装置 | ||
1.一种像素电路,其特征在于,包括存储电容单元、驱动晶体管、补偿单元、开关单元、发光元件和用于提供数据电流的电流提供单元,其中,
所述存储电容单元的第一端与所述驱动晶体管的栅极连接,所述存储电容单元的第二端与第一电压输入端连接;
所述驱动晶体管的第一极与所述第一电压输入端连接;
所述补偿单元分别与补偿控制端、所述驱动晶体管的栅极、所述驱动晶体管的第二极和所述电流提供单元连接,用于在补偿控制端的控制下,控制所述电流提供单元与所述驱动晶体管的栅极连接或断开,并控制所述驱动晶体管的栅极与所述驱动晶体管的第二极连接或断开;
所述开关单元分别与发光控制端、所述驱动晶体管的第二极和所述发光元件的第一端连接,用于在所述发光控制端的控制下控制所述驱动晶体管的第二极与所述发光元件的第一端连接或断开;
所述发光元件的第二端与第二电压输入端连接。
2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管为p型晶体管,所述第一电压输入端为高电压输入端,所述第二电压输入端为低电压输入端;或者,
所述驱动晶体管为n型晶体管,所述第一电压输入端为低电压输入端,所述第二电压输入端为高电压输入端。
3.如权利要求1或2所述的像素电路,其特征在于,所述补偿单元包括:
第一补偿晶体管,栅极与所述补偿控制端连接,第一极与所述驱动晶体管的栅极连接,第二极与所述电流提供单元连接;以及,
第二补偿晶体管,栅极与所述补偿控制端连接,第一极与所述驱动晶体管的栅极连接,第二极与所述驱动晶体管的第二极连接。
4.如权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管都为n型晶体管;或者,所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管都为p型晶体管。
5.如权利要求1或2所述的像素电路,其特征在于,所述开关单元包括:
开关晶体管,栅极与所述发光控制端连接,第一极与所述驱动晶体管的第二极连接,第二极与所述发光元件的第一端连接。
6.如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述开关晶体管为n型晶体管或p型晶体管。
7.如权利要求1或2所述的像素电路,其特征在于,所述存储电容单元包括:存储电容,第一端与所述驱动晶体管的栅极连接,第二端与第一电压输入端连接。
8.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述发光元件包括有机发光二极管;
所述驱动晶体管为p型晶体管,所述发光元件的第一端为所述有机发光二极管的阳极,所述发光元件的第二端为所述有机发光二极管的阴极;或者,所述驱动晶体管为n型晶体管,所述发光元件的第一端为所述有机发光二极管的阴极,所述发光元件的第二端为所述有机发光二极管的阳极。
9.一种像素电路的驱动方法,应用于如权利要求1至8中任一权利要求所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路的驱动方法包括:在每一显示周期,
在补偿阶段,在发光控制端的控制下,开关单元控制断开驱动晶体管的第二极与发光元件的第一端之间的连接;在补偿控制端的控制下,补偿单元控制电流提供单元分别提供数据电流Idata至所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二极,以使得所述驱动晶体管工作于饱和状态并所述驱动晶体管的驱动电流等于数据电流Idata,此时驱动晶体管的栅极的电位被置为复位电压;
在发光阶段,在发光控制端的控制下,开关单元控制导通驱动晶体管的第二极与发光元件的第一端之间的连接;在补偿控制端的控制下,补偿单元控制断开电流提供单元与所述驱动晶体管的栅极之间的连接,并控制断开电流提供单元与所述驱动晶体管的第二极之间的连接,所述驱动晶体管的栅极的电位维持为所述复位电压,以控制所述驱动晶体管工作于饱和状态并所述驱动晶体管的驱动电流等于数据电流Idata。
10.如权利要求9所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,所述驱动晶体管为p型晶体管,第一电压输入端为输入高电压VDD的高电压输入端时,所述复位电压等于Vth为所述驱动晶体管的阈值电压,K为所述驱动晶体管的电流系数;
所述驱动晶体管为n型晶体管,第一电压输入端为输入低电压VSS的低电压输入端时,所述复位电压等于Vth为所述驱动晶体管的阈值电压,K为所述驱动晶体管的电流系数。
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