[发明专利]一种利用离子注入增大阶梯区域接触窗口的方法

权利要求书

1.一种利用离子注入增大阶梯区域接触窗口的方法，所述方法包括如下步骤：

形成阶梯堆栈，所述阶梯堆栈的形成方法为在硅基板上交替形成若干层氧化物层和氮化物层，所述氮化物层是氮化硅层；

对上述阶梯堆栈进行阶梯刻蚀，形成阶梯区域；

对所述阶梯区域进行离子注入，在阶梯区域分别形成呈阶梯状分布的注入氧化物层和注入氮化物层；所述注入氧化物层位于注入氮化物层的上表面；

对离子注入后的阶梯区域进行填充和置换，首先通过使用干法/湿法刻蚀工艺来刻蚀除掉氮化硅层、注入氧化物层和注入氮化物层，被刻蚀掉的部分形成沟槽；然后使用导电材料填充上述沟槽，形成导电层；最后，使用填充材料覆盖阶梯区域，使其顶部重新形成一个平面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述氧化物是氧化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

形成所述氧化物层和氮化物层的工艺使用薄膜沉淀工艺。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：

所述薄膜沉淀工艺包括以下中的一种或多种：化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)、或原子层沉积法(ALD)。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

使用干法/湿法刻蚀工艺来形成所述阶梯区域。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述填充导电材料和/或使用填充材料覆盖阶梯区域的工艺包括以下中的一种或多种：化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)、或原子层沉积法(ALD)。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述导电材料为钨、钴、铜、铝和/或硅化物中的一种或几种的组合；所述填充材料为氧化硅。