[发明专利]薄膜晶体管器件及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管器件，其特征在于，所述薄膜晶体管器件的栅电极包括：

设置在所述薄膜晶体管器件的沟道层上方的顶栅；以及

设置在所述沟道层下方的底栅；

其中，所述顶栅上设置有至少一个通孔，所述顶栅上的所述通孔在与所述沟道层平行的平面上的投影被所述底栅在所述平面上的投影所覆盖；和/或，所述底栅上设置有至少一个通孔，所述底栅上的所述通孔在所述平面上的投影被所述顶栅在所述平面上的投影所覆盖；所述顶栅和所述底栅形成互补结构；

所述薄膜晶体管器件还包括：

形成于所述栅电极上的绝缘介质层，所述绝缘介质层可包括贯穿至所述沟道层的两个开孔；

源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别形成于所述两个开孔中，并与所述沟道层形成欧姆接触；

平坦层，所述平坦层制备在所述绝缘介质层上，覆盖所述源电极和所述漏电极；

形成在所述平坦层上的像素定义层，所述像素定义层上定义有阳极区域；

与所述阳极区域电性连接的阳极，所述阳极穿过所述平坦层与所述漏电极形成欧姆连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述栅电极进一步包括：

设置在所述沟道层和所述顶栅之间的顶栅绝缘层和设置在所述沟道层和所述底栅之间的底栅绝缘层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述底栅绝缘层包括镂空区域或至少一个开孔，所述底栅绝缘层的所述镂空区域或至少一个开孔中填充有机材料；和/或，

所述顶栅绝缘层包括镂空区域或至少一个开孔，所述顶栅绝缘层的所述镂空区域或至少一个开孔中填充有机材料。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述顶栅上的所述通孔在所述平面上的投影形状和所述底栅在所述平面上的投影的形状相同；和/或，所述底栅上的所述通孔在所述平面上的投影的形状和所述顶栅在所述平面上的投影的形状相同。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述至少一个通孔的所有侧边中最长的一条侧边或者所述至少一个通孔中相距最远的两顶点连线与所述薄膜晶体管器件的预设弯折轴重合。

6.一种薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管器件的栅电极的制备方法包括如下步骤：

制作底栅；

在所述底栅上方依次制作底栅绝缘层和沟道层；以及

在所述沟道层上方依次制作顶栅绝缘层和顶栅；

其中，所述顶栅上设置有至少一个通孔，所述顶栅上的所述通孔在与所述沟道层平行的平面上的投影被所述底栅在所述平面上的投影所覆盖；和/或，所述底栅上设置有至少一个通孔，所述底栅上的所述通孔在所述平面上的投影被所述顶栅在所述平面上的投影所覆盖；所述顶栅和所述底栅形成互补结构；

所述制作方法还包括：

在所述沟道层进行局部掺杂处理以形成源极区域和漏极区域；

在所述顶栅上方制作具有两个开孔的绝缘介质层，所述两个开孔分别贯穿至所述源极区域和所述漏极区域；

在所述两个开孔中分别制备源电极和漏电极；

在所述绝缘介质层上制作平坦层，并使得所述平坦层覆盖所述源电极和所述漏电极；

在所述平坦层打通孔至漏电极；

在所述平坦层的所述通孔中制备阳极，使得所述阳极与所述漏电极形成欧姆连接；

在所述平坦层上制备像素定义层，所述像素定义层上定义有与所述阳极形成电性连接的阳极区域；以及

在所述像素定义层上制作与外部器件电连接的接口。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述在所述底栅上方依次制作底栅绝缘层和沟道层包括：

在所述底栅表面制作所述底栅绝缘层；

在所述底栅绝缘层上制作镂空区域或至少一个开孔，并在所述底栅绝缘层的所述镂空区域或至少一个开孔中填充有机材料；以及

在所述底栅绝缘层和所述有机材料的表面制作所述沟道层；

和/或，所述在所述沟道层上方依次制作顶栅绝缘层和顶栅包括：

在所述沟道层表面制作所述顶栅绝缘层；

在所述顶栅绝缘层上制作所述顶栅；以及

在所述顶栅绝缘层制作镂空区域或至少一个开孔，并在所述顶栅绝缘层的所述镂空区域或至少一个开孔中填充有机材料。