[发明专利]一种可折叠阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201710773088.4 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN109427818B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 王刚;张露;韩珍珍;胡思明;朱晖 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底基板 阵列基板 栅金属层 源漏金属层 显示装置 像素单元 绝缘层 可折叠 开孔 栅线 抗弯折性能 数据线交叉 不相交 数据线 延伸 | ||
1.一种可折叠阵列基板,包括衬底基板、设置于所述衬底基板一侧的栅金属层,设置于所述栅金属层远离所述衬底基板一侧的源漏金属层,以及设置于所述栅金属层和所述源漏金属层之间的绝缘层;
其中所述栅金属层包括栅线、所述源漏金属层包括数据线,且所述栅线和所述数据线交叉设置,以在所述衬底基板上限定多个像素单元;
所述阵列基板上除所述多个像素单元之外设置有开孔,所述开孔从所述绝缘层远离所述衬底基板一侧向靠近所述衬底基板一侧延伸,
所述阵列基板彼此相邻的两行像素单元之间包括第一预设打孔区,所述开孔设置于所述第一预设打孔区内,所述第一预设打孔区在所述阵列基板上的正投影与所述栅线不重合;和/或所述阵列基板彼此相邻的两列像素单元之间包括第二预设打孔区,所述开孔设置在所述第二预设打孔区内,所述第二预设打孔区在所述阵列基板上的正投影与所述数据线不重合。
2.根据权利要求1所述的可折叠阵列基板,其特征在于,所述第一预设打孔区和所述第二预设打孔区的宽度在2-10微米的范围内。
3.根据权利要求1所述的可折叠阵列基板,其特征在于,还包括设置于所述衬底基板一侧且与该衬底基板接触的缓冲层,所述开孔包括第一类开孔,所述第一类开孔从所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧向靠近所述衬底基板的一侧延伸至所述缓冲层。
4.根据权利要求2所述的可折叠阵列基板,其特征在于,所述开孔还包括第二类开孔,所述第二类开孔从所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧向靠近所述衬底基板的一侧延伸至所述栅金属层的金属走线。
5.根据权利要求1所述的可折叠阵列基板,其特征在于,所述开孔包括在所述栅线的长度方向上延伸的第一孔槽。
6.根据权利要求5所述的可折叠阵列基板,其特征在于,所述开孔还包括在所述数据线的长度方向上延伸的多个孔。
7.根据权利要求5所述的可折叠阵列基板,其特征在于,还包括设置于所述衬底基板一侧且与该衬底基板接触的缓冲层;所述开孔包括在所述数据线的长度方向上延伸的第二孔槽;其中所述第二孔槽包括从所述绝缘层远离所述衬底基板一侧延伸至所述缓冲层的部分和延伸至所述栅线的部分。
8.根据权利要求1-7任一项所述的可折叠阵列基板,其特征在于,还包括位于所述栅金属层和所述源漏金属层之间的电容层、所述绝缘层包括设置在所述电容层与所述源漏金属层之间的第一绝缘层以及设置于所述电容层与所述栅金属层之间的第二绝缘层。
9.一种包括如权利要求1-8任一项所述阵列基板的OLED显示装置。
10.一种可折叠阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成有源层图案、栅金属层图案、绝缘层;其中栅金属层图案包括栅线;
在所述绝缘层远离所述衬底基板一侧且在像素单元之外形成向衬底基板方向延伸的开孔;其中所述开孔与所述像素单元不相交,所述阵列基板彼此相邻的两行像素单元之间包括第一预设打孔区,所述开孔设置于所述第一预设打孔区内,所述第一预设打孔区在所述阵列基板上的正投影与所述栅线不重合,和/或所述阵列基板彼此相邻的两列像素单元之间包括第二预设打孔区,所述开孔设置在所述第二预设打孔区内,所述第二预设打孔区在所述阵列基板上的正投影与所述阵列基板的数据线不重合。
11.根据权利要求10所述的可折叠阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述绝缘层远离所述衬底基板一侧且在像素单元之外形成向衬底基板方向延伸的开孔包括:
在至少一对彼此相邻的两行像素单元之间形成在所述栅线的长度方向延伸的第一孔槽。
12.根据权利要求11所述的可折叠阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述绝缘层远离所述衬底基板一侧且在像素单元之外形成向衬底基板方向延伸的开孔之后还包括:
形成源漏金属层图案;其中所述源漏金属层图案包括所述数据线;
所述在所述绝缘层远离所述衬底基板一侧且在像素单元之外形成向衬底基板方向延伸的开孔还包括:
在至少一对彼此相邻的两列像素单元之间形成在所述数据线的长度方向延伸的第二孔槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的