[发明专利]含有半导体纳米晶体的发光器件

权利要求书

1.发光器件，包括：

包括第一无机材料的第一电荷传输层，其与第一电极接触，该第一电极被布置以在该第一电荷传输层中引入电荷；

第二电极；和

布置在该第一电极和第二电极之间的多个胶体生长的半导体纳米晶体，其中所述多个胶体生长的半导体纳米晶体与所述第一电荷传输层电接触；和

邻近纳米晶体的轻微掺杂层，以使非辐射损失最小化，该损失是由于通过电荷传输层中的无束缚的电荷载流子的激子猝灭引起的，其中第一电荷传输层由金属氧化物组成，且该金属氧化物选自氧化锌、氧化钛、氧化铌、氧化铟锡、氧化铜、氧化镍、氧化钒、氧化铬、氧化铟、氧化锡、氧化镓、氧化锰、氧化铁、氧化钴、氧化铝、氧化铊、氧化铅、氧化锆、氧化钼、氧化铪、氧化钽、氧化钨、氧化镉、氧化铱、氧化铑、氧化钌、和氧化锇，且所述金属氧化物为掺杂的金属氧化物，其中掺杂是氧缺陷、卤素掺杂物或混合的金属。

2.如权利要求1所述的发光器件，进一步包括与该第二电极接触的第二电荷传输层，其中第二电极被布置以在该第二电荷传输层中引入电荷。

3.如权利要求1所述的发光器件，其中该第一无机材料是无定形的或多晶的。

4.如权利要求1所述的发光器件，其中该第一无机材料是无机半导体。

5.如权利要求2所述的发光器件，其中该第二电荷传输层包括第二无机材料。

6.如权利要求5所述的发光器件，其中该第二无机材料是无定形的或多晶的。

7.如权利要求5所述的发光器件，其中该第二无机材料是无机半导体。

8.如权利要求1所述的发光器件，其中多个半导体纳米晶体形成单层。

9.如权利要求1所述的发光器件，其中多个半导体纳米晶体是半导体纳米晶体的基本上单分散群体。

10.如权利要求1所述的发光器件，其中该器件是透明的。

11.如权利要求4所述的发光器件，其中该无机半导体包括掺杂物。

12.含有多个如权利要求1所述的发光器件的显示器。