[发明专利]一种外延结构刻蚀率的检测方法

权利要求书

1.一种外延结构刻蚀率的检测方法，其特征在于，包括：

提供测试晶片，所述测试晶片包括衬底及其上的测试结构，所述测试结构包括氧化物的覆盖层、所述覆盖层中暴露所述衬底的通孔以及所述通孔底部的外延结构，所述覆盖层的厚度根据3D NAND存储器中的堆叠层的层数和厚度确定，且利用孔掩膜版，通过刻蚀所述覆盖层形成所述通孔，所述孔掩膜版为3D NAND存储器制造工艺中用于形成沟道孔的掩膜版；

测量外延结构上表面至通孔上表面的第一高度；

将所述测试晶片放置入酸液中并保持预设时间，所述酸液为3D NAND存储器中去除叠层的氮化硅层工艺时的生产用酸液；

测量外延结构上表面至所述通孔上表面的第二高度；

根据所述第二高度和第一高度之差、所述预设时间，获得外延结构的刻蚀率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在提供测试晶片中，所述衬底包括多个区域，不同区域上的外延结构具有不同的厚度；测量用的外延结构从不同区域中选取。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在提供测试晶片中，所述外延结构具有基本相同的厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，用于测量的外延结构位于衬底的不同区域中。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述不同区域包括中心区域以及边缘区域。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述外延结构为外延硅。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述生产用酸液为磷酸。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一高度和第二高度通过OCD测量设备获得。