[发明专利]一种刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710772327.4 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107507769B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 蒋阳波;汪亚军;张静平;郑晓芬 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供待刻蚀衬底，所述待刻蚀衬底上形成有3D NAND存储器的沟道孔，所述沟道孔内形成有待刻蚀硅层；
将所述待刻蚀硅层进行部分氧化，形成氧化硅层；
选用特定刻蚀溶液对待刻蚀衬底进行湿法刻蚀，去除所述氧化硅层；
其中，所述特定刻蚀溶液对氧化硅的刻蚀速率大于对硅的刻蚀速率，所述特定刻蚀溶液为氢氟酸溶液，所述氢氟酸溶液仅能够去除氧化形成的氧化硅层，但不能去除沟道周围的层叠结构中的氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述特定刻蚀溶液的氧化硅对硅的选择比不小于10∶1。
3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述去除所述氧化硅层，具体包括：
采用过刻蚀的方式去除氧化硅层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述将所述待刻蚀硅层进行部分氧化，形成氧化硅层，具体包括：
通过氧气氧化的方式将所述待刻蚀硅层进行部分氧化，形成氧化硅层。
5.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述通过氧气氧化的方式将所述待刻蚀硅层进行部分氧化，形成氧化硅层，具体包括：
将所述待刻蚀衬底置于真空反应系统中；
向该真空反应系统中通入氧气和氢气，对所述待刻蚀硅层进行部分氧化，从而形成氧化硅层。
6.根据权利要求1-3任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述待刻蚀硅层为多晶硅层或无定型硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
