[发明专利]一种金属栅极结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710772274.6 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107578993A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 左明光;唐浩;万先进;吴关平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 栅极 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种金属栅极的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底，所述衬底上形成有栅极待填充区域；
沿所述待填充区域表面形成第一阻挡层；
向所述待填充区域填充含氟钨源制成的金属钨，以形成金属钨电极层；
对所述金属钨电极层进行反刻形成凹槽，沿所述凹槽表面形成不含氟的第二阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二阻挡层是通过无氟化合物热分解，与离子化氢气发生还原反应形成的。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二阻挡层是通过化学气相沉积法形成的。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在凹槽内形成不含氟的第二阻挡层之后，还包括：
在第二阻挡层表面形成氧化层。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述第二阻挡层包括无氟金属钨层。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层包括氮化钛层或氮化钽层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法应用于3D NAND存储器件，所述待填充区域包括氧化硅/氮化硅层堆叠结构中的氮化硅层被去除后形成的镂空层。
8.一种金属栅极结构，其特征在于，所述结构包括：
衬底，所述衬底上形成有栅极待填充区域；
在所述栅极待填充区域内依次形成有第一阻挡层、金属钨电极层和第二阻挡层；所述金属钨电极层是通过含氟钨源淀积的，所述第二阻挡层不含氟。
9.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述结构还包括：
位于所述第二阻挡层之上的氧化层。
10.根据权利要求8或9所述的结构，其特征在于，所述金属栅极结构应用于3D NAND存储器件中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
