[发明专利]一种三维存储器及其平坦化方法

权利要求书

1.一种三维存储器平坦化方法，其特征在于，应用于三维存储器的制作，所述三维存储器包括衬底，所述衬底分为核心区域和包围所述核心区域的外围区域，以及位于所述外围区域和所述核心区域之间，沿所述外围区域指向所述核心区域方向依次设置的空旷区域和台阶区域；所述台阶区域衬底上形成有台阶结构；所述核心区域衬底上形成有包括第一子叠层和第二子叠层交叉层叠的叠层结构，且所述叠层结构背离所述衬底的表面为第一阻挡层；

所述三维存储器平坦化方法包括：

在所述衬底的外围区域、空旷区域、台阶区域和核心区域沉积氧化层，使所述空旷区域的氧化层背离所述衬底的表面与所述第一阻挡层朝向所述衬底的表面齐平；

去除部分所述外围区域的氧化层，使所述外围区域的去除部分氧化层后背离所述衬底的表面与所述空旷区域的氧化层背离所述衬底的表面齐平；

在所述衬底的外围区域、空旷区域、台阶区域和核心区域上的氧化层上形成第二阻挡层；

去除所述核心区域的第二阻挡层以及所述核心区域的氧化层；

进行第一次平坦化，使所述外围区域、所述空旷区域、所述台阶区域和所述核心区域的表面齐平至所述空旷区域的第二阻挡层背离所述衬底的表面；

去除所述外围区域的第二阻挡层、所述空旷区域的第二阻挡层和所述核心区域的第一阻挡层；

进行第二次平坦化，使所述外围区域、所述台阶区域和所述核心区域的表面齐平所述空旷区域氧化层背离所述衬底的表面。

2.根据权利要求1所述的三维存储器平坦化方法，其特征在于，所述进行第一次平坦化和所述进行第二次平坦化采用的工艺相同，具体包括：

采用化学机械研磨工艺进行平坦化。

3.根据权利要求1所述的三维存储器平坦化方法，其特征在于，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层以及所述第一子叠层的材质相同，均为SiN或多晶硅。

4.根据权利要求1所述的三维存储器平坦化方法，其特征在于，所述第二阻挡层的厚度为包括端点值。

5.一种三维存储器平坦化方法，其特征在于，应用于三维存储器的制作，所述三维存储器包括衬底，所述衬底分为核心区域和包围所述核心区域的外围区域，以及位于所述外围区域和所述核心区域之间，沿所述外围区域指向所述核心区域方向依次设置的空旷区域和台阶区域；所述台阶区域衬底上形成有台阶结构；所述核心区域衬底上形成有包括第一子叠层和第二子叠层交叉层叠的叠层结构，且所述叠层结构背离所述衬底的表面为第一阻挡层；

所述三维存储器平坦化方法包括：

在所述衬底的外围区域、空旷区域、台阶区域和核心区域沉积氧化层，使所述空旷区域的氧化层背离所述衬底的表面与所述第一阻挡层朝向所述衬底的表面齐平；

去除部分所述外围区域的氧化层，使所述外围区域的去除部分氧化层后背离所述衬底的表面与所述空旷区域的氧化层背离所述衬底的表面齐平；

去除所述核心区域的氧化层；

在所述外围区域、所述空旷区域和所述台阶区域的氧化层上，以及所述核心区域的第一阻挡层上形成第二阻挡层；

进行第一次平坦化，使所述外围区域、所述空旷区域、所述台阶区域和所述核心区域的表面齐平至所述空旷区域的第二阻挡层背离所述衬底的表面；

去除所述外围区域的第二阻挡层、所述空旷区域的第二阻挡层和所述核心区域的第一阻挡层；

进行第二次平坦化，使所述外围区域、所述台阶区域和所述核心区域的表面齐平所述空旷区域氧化层背离所述衬底的表面。

6.根据权利要求5所述的三维存储器平坦化方法，其特征在于，所述进行第一次平坦化和所述进行第二次平坦化采用的工艺相同，具体包括：

采用化学机械研磨工艺进行平坦化。

7.根据权利要求5所述的三维存储器平坦化方法，其特征在于，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层以及所述第一子叠层的材质相同，均为SiN或多晶硅。

8.根据权利要求5所述的三维存储器平坦化方法，其特征在于，所述第二阻挡层的厚度为包括端点值。