[发明专利]一种互连结构及其制作方法和半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底结构，其中，所述衬底结构刻蚀有沟槽；

沿所述沟槽的内壁依次沉积阻挡层和种子层的叠层；

控制所述种子层背离所述阻挡层一侧表面吸附等离子体，其中，控制所述种子层背离所述阻挡层一侧表面吸附等离子体为：控制所述种子层背离所述阻挡层一侧表面吸附等离子体，且所述叠层所形成的凹槽的开口区域所吸附的等离子体的密度，大于所述叠层所形成的凹槽的底部区域所吸附的等离子体的密度，且自所述沟槽的顶部至底部方向，所述种子层背离所述阻挡层一侧表面吸附等离子体的密度呈减小趋势；

对所述叠层形成的凹槽内进行连线材料填充；

对所述衬底结构具有所述沟槽一侧表面进行平坦化处理，以在所述凹槽内形成互连线。

2.根据权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，控制所述种子层背离所述阻挡层一侧表面吸附等离子体，包括：

将所述衬底结构放入反应腔中；

对所述反应腔内充入等离子体，其中，充入的等离子体的移动方向朝向所述衬底结构具有所述沟槽一侧。

3.根据权利要求2所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述衬底结构放置于所述反应腔的底部，且所述衬底结构具有所述沟槽一侧朝向所述反应腔的顶部；

及，自所述反应腔的顶部充入等离子体，充入的等离子体由于重力作用而使其移动方向朝向所述衬底结构具有所述沟槽一侧。

4.根据权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，控制所述种子层背离所述阻挡层一侧表面吸附等离子体为：

控制所述种子层背离所述阻挡层一侧表面吸附等离子体，且所述叠层所形成的凹槽的宽度小的区域所吸附的等离子体的密度，大于所述叠层所形成的凹槽的宽度大的区域所吸附的等离子体的密度。

5.根据权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，充入的等离子体为将氮气电离化形成的等离子体。

6.根据权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述沟槽的宽度范围为20纳米-200纳米，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述阻挡层为氮化钛阻挡层。

8.根据权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述种子层为钨种子层。

9.根据权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述种子层的厚度范围为15纳米-60纳米，包括端点值。

10.根据权利要求1所述的互连结构的制作方法，其特征在于，所述连线材料填充为钨连线材料填充。

11.一种互连结构，其特征在于，所述互连结构采用权利要求1～10任意一项所述的互连结构的制作方法制作而成。

12.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法包括权利要求1～10任意一项所述的互连结构的制作方法。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件为三维存储器。