[发明专利]封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

至少一个管芯；

天线元件，位于所述至少一个管芯上方；以及

层间穿孔壁，位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间，其中所述层间穿孔壁连接到所述天线元件，空气腔位于所述天线元件与所述至少一个管芯之间且被所述层间穿孔壁环绕，且所述天线元件电连接到所述至少一个管芯。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，进一步包括：

第一重布线层，连接到所述至少一个管芯；

第二重布线层，位于所述至少一个管芯上，其中所述至少一个管芯位于所述第一重布线层与所述第二重布线层之间；以及

至少两个层间穿孔，连接到所述第一重布线层及所述第二重布线层且排列在所述至少一个管芯旁边，

其中所述天线元件经由所述层间穿孔壁、所述第二重布线层、所述至少两个层间穿孔、及所述第一重布线层电连接到所述至少一个管芯。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，进一步包括模制化合物，其中所述天线元件、所述层间穿孔壁、所述至少一个管芯、所述第二重布线层及所述至少两个层间穿孔被模制在所述模制化合物中，其中所述层间穿孔壁的内侧壁、被所述层间穿孔壁的所述内侧壁环绕且面朝所述至少一个管芯的所述天线元件的表面、以及被所述层间穿孔壁的所述内侧壁环绕且面朝所述天线元件的所述第二重布线层的表面不含所述模制化合物。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，进一步包括：

多个导电元件，连接到所述第一重布线层，其中所述第一重布线层位于所述多个导电元件与所述至少一个管芯之间。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，进一步包括：

顶盖层，位于所述天线元件上，其中所述天线元件位于所述顶盖层与所述层间穿孔壁之间；以及

金属环形结构，设置在与所述天线元件相对的所述顶盖层的表面上，其中所述金属环形结构位于所述层间穿孔壁之上，且所述金属环形结构的形状对应于所述层间穿孔壁的形状。

6.一种封装结构，其特征在于，包括：

第一模制化合物及位于所述第一模制化合物上的第二模制化合物；

半导体管芯，模制在所述第一模制化合物中；以及

层间穿孔壁，位于所述半导体管芯上并电连接至所述半导体管芯，所述层间穿孔壁包括具有内表面与相对于所述内表面的外表面的环形形状，其中所述层间穿孔壁模制在所述第二模制化合物中，且空腔位于所述层间穿孔壁内并被所述内表面环绕。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述层间穿孔壁具有包括连续结构的所述环形形状。

8.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述层间穿孔壁具有包括多个空隙的非连续结构的所述环形形状。

9.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述层间穿孔壁的所述内表面不接触所述第二模制化合物，且所述层间穿孔壁的所述外表面被所述第二模制化合物包绕。

10.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，进一步包括位于所述半导体管芯之上并与所述半导体管芯电连接的天线元件，其中所述天线元件包括第一部分、第二部分及连接所述第一部分与所述第二部分的第三部分，其中所述天线元件的所述第一部分位于所述空腔内且不接触所述第一模制化合物，所述天线元件的所述第二部分连接至所述层间穿孔壁且不接触所述第一模制化合物，所述天线元件的所述第三部分模制于所述第二模制化合物中且不接触所述第一模制化合物。