[发明专利]基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，包含：

基板保持工序，将基板保持为水平；

相向配置工序，在被保持为水平的所述基板的上表面相向配置相向部件；

空间形成工序，由被保持为水平的所述基板、所述相向部件、以及在俯视下包围被保持为水平的所述基板及所述相向部件的多个挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间；

非活性气体供给工序，向所述空间供给非活性气体；

间隔调整工序，通过一边维持所述空间一边使所述相向部件相对于被保持为水平的所述基板升降，来调整所述基板的上表面与所述相向部件之间的间隔；

处理液供给工序，在所述间隔调整工序之后向被保持为水平的所述基板的上表面供给处理液，

多个所述挡板具有第一挡板、从下方与所述第一挡板相向的第二挡板，

所述空间形成工序包括如下工序：使所述第一挡板的内缘部与所述相向部件的外缘部相向，并且，使所述第二挡板的内缘部与所述基板的外缘部相向，从而形成所述空间，

所述间隔调整工序包括如下工序：一边维持所述相向部件的外缘部与所述第一挡板的内缘部相向且所述第二挡板的内缘部与所述基板的外缘部相向的状态，一边调整所述基板的上表面与所述相向部件之间的间隔。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述间隔调整工序包括：

使所述相向部件与所述第一挡板以相同的速度相对于所述基板升降的工序。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述间隔调整工序包括：

使所述相向部件与所述第一挡板同时相对于所述基板升降的工序。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述基板处理方法还包括：第一处理液供给工序，在形成有所述空间且将所述相向部件配置于第一位置的状态下，从所述相向部件的与被保持为水平的所述基板的上表面相向的相向面向所述基板的上表面供给处理液，

所述间隔调整工序包括如下工序：持续从与被保持为水平的所述基板相向的所述相向面供给所述处理液，并且，一边维持所述空间，一边使所述相向部件上升到比所述第一位置更位于上方的第二位置，从而调整所述基板的上表面与所述相向部件之间的间隔，使得从所述第一挡板的内壁水平延伸至所述空间的内侧的处理液供给喷嘴能够在所述基板与所述相向部件之间移动，

所述基板处理方法还包括：第二处理液供给工序，在所述第一处理液供给工序和所述间隔调整工序之后执行，在将所述相向部件配置于所述第二位置的状态下，一边使所述处理液供给喷嘴在所述基板和所述相向部件之间水平移动，一边从所述处理液供给喷嘴向所述基板的上表面供给所述处理液。

5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述非活性气体供给工序在所述间隔调整工序结束之前开始。