[发明专利]一种存储器件、钨形核层及其制备方法

权利要求书

1.一种钨形核层的制备方法，其特征在于，应用于化学气相沉积设备；所述钨形核层的制备方法包括：

获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，所述膜层厚度曲线中记录有所述化学气相沉积设备腔体初始化后制备的薄膜次数与钨形核层厚度的对应关系；

根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区；所述对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理包括：利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备；

利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线包括：

利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行多次钨形核层的制备，并记录每次制备的钨形核层的厚度与制备次数的对应关系；

利用每次制备的钨形核层的厚度与制备次数的对应关系绘制所述膜层厚度曲线。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区包括：

根据所述膜层厚度曲线的非稳定工作区长度，确定预设次数；

利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备包括：

利用腔体初始化后的化学气相沉积设备，在预设数量的暖机晶圆表面分别制备钨形核层，所述预设数量等于所述预设次数；

或

利用腔体初始化后的化学气相沉积设备，在无晶圆条件下重复进行钨形核层制备工艺预设次数。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层之后还包括：

当预处理后的化学气相沉积设备制备的钨薄膜总厚度大于或等于预设值时，所述化学气相沉积设备进行腔体初始化处理，并返回利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区的步骤。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述化学气相沉积设备进行腔体初始化处理包括：

利用化学反应工艺或气体吹扫工艺对所述化学气相沉积设备的腔体进行清洗，以去除所述化学气相沉积设备的腔体内壁和气体输出装置表面附着的钨形核层中间产物。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层包括：

通过所述化学气相沉积设备的气体装置交替通入硅烷和六氟化钨，以在晶圆表面形成所述钨形核层。

8.一种钨形核层，其特征在于，由权利要求1-7任一项所述的钨形核层的制备方法制备获得。

9.一种存储器件，其特征在于，包括如权利要求8所述的钨形核层。