[发明专利]埋入式字符线结构的制作方法和结构有效

专利信息
申请号: 201710770218.9 申请日: 2017-08-31
公开(公告)号: CN109427652B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 林哲平;林冠君;许启茂;詹书俨;邹世芳;吕佐文;詹电针;张峰溢;颜士贵;李甫哲 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/528;H01L27/108
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 埋入 字符 结构 制作方法
【权利要求书】:

1.一种埋入式字符线结构的制作方法,包含:

提供一基底,一字符线沟槽位于该基底中,二源极/漏极掺杂区位于该字符线沟槽两侧的该基底中;

形成一氧化硅层覆盖该字符线沟槽;

形成一氮化钛层覆盖该氧化硅层;

进行一斜角掺质注入制作工艺,将硅原子注入该氮化钛层中使得部分的该氮化钛层转变为一氮硅化钛层;

形成一导电层于该字符线沟槽中;

移除部分的该导电层、部分的该氮硅化钛层、部分该氧化硅层以形成一凹槽;以及

形成一帽盖层填入该凹槽。

2.如权利要求1所述的埋入式字符线结构的制作方法,其中各该源极/漏极掺杂区的底部至该字符线沟槽的底部在垂直方向具有一距离,其中该垂直方向垂直该基底的表面。

3.如权利要求2所述的埋入式字符线结构的制作方法,其中该氮化钛层和该氮硅化钛层之间的界面高于各该源极/漏极掺杂区的底部,并且该氮化钛层和该氮硅化钛层之间的界面和各该源极/漏极掺杂区的底部之间的垂直距离小于0.2倍的该距离。

4.如权利要求2所述的埋入式字符线结构的制作方法,其中该氮化钛层和该氮硅化钛层之间的界面低于各该源极/漏极掺杂区的底部,并且该氮化钛层和该氮硅化钛层之间的界面和各该源极/漏极掺杂区的底部之间的垂直距离小于0.2倍的该距离。

5.如权利要求3所述的埋入式字符线结构的制作方法,其中该氮化钛层和该氮硅化钛层之间的界面和各该源极/漏极掺杂区的底部切齐。

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