[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成第一材料层；

在包含含有氧或者氢和氧的双方的气体的气氛下对所述第一材料层的表面进行等离子体处理，使得在所述第一材料层中形成金属氧化物；

在进行所述等离子体处理后，在所述第一材料层上形成第二材料层；以及

使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离，

其中，在进行所述等离子体处理后，所述第一材料层包含金属氧化物，

在所述分离步骤中，所述第一材料层包含含有氧或者氢和氧的双方的气体，

所述第二材料层包含树脂，

并且，通过切断氢键来使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一材料层以所述第一材料层与所述第二材料层的密接性低于所述第一材料层与所述衬底的密接性的方式形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第二材料层和所述含有氧或者氢和氧的双方的气体形成所述氢键。

4.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成第一材料层；

在所述第一材料层上形成第二材料层；

对层叠的所述第一材料层与所述第二材料层进行加热；

使水析出在所述第一材料层与所述第二材料层的界面或所述界面附近；以及

使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离，

其中，所述第一材料层包含含有氢或氧或者氢和氧的双方的气体，

所述第二材料层包含树脂，

并且，在使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离的步骤中，所述第一材料层与所述第二材料层间的密接性因存在于所述界面或所述界面附近的水而降低而使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一材料层以包含钛、钼、铝、钨、硅、铟、锌、镓、钽和锡中的一个或多个的方式形成。

6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一材料层以具有钛与氧化钛的叠层结构的方式形成。

7.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述第二材料层以包括厚度为0.1μm以上且5μm以下的区域的方式形成。

8.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述第二材料层以包括由式(100)表示的化合物的残基的方式形成：

9.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中边对分离界面供应液体边进行所述使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离的步骤。

10.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，

其中形成所述第一材料层的步骤包括如下步骤：

在所述衬底上形成金属层；以及

在将所述金属层形成在所述衬底上之后，对所述金属层的表面进行等离子体处理来形成金属氧化物层。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中在所述等离子体处理中，将所述金属层的表面暴露于包含氧气体或水蒸气或者氧气体和水蒸气的双方的气氛。

12.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成金属氧化物层；

在所述金属氧化物层上使用包含树脂或树脂前体的材料形成第一层；

通过对所述第一层进行加热处理来形成树脂层；以及

使所述金属氧化物层与所述树脂层彼此分离，

其中，形成所述金属氧化物层的步骤包括如下步骤：

在所述衬底上形成金属层；以及

在包含含有氧或者氢和氧的双方的气体的气氛下对所述金属层的表面进行等离子体处理。