[发明专利]加工装置

说明书

提供一种加工装置，能够在晶片的被加工面上形成希望的去疵层而不用花费时间。加工装置(1)具有对磨削后的晶片(W)的被加工面进行研磨的研磨构件(60)和在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵层形成构件(70)，去疵层形成构件(70)具有：旋转构件(71)，其使在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵轮(72)与旋转构件(71)一起旋转；升降构件(75)，其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在垂直方向上进行升降；以及水平移动构件(76)，其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在水平方向上进行移动，因此能够通过与研磨构件(60)作为不同机构的去疵层形成构件(70)在短时间内在晶片(W)的被加工面上形成去疵层。

技术领域

本发明涉及加工装置，该加工装置对晶片进行加工并且在晶片的被加工面上形成希望的去疵层。

背景技术

当利用磨削磨具对晶片进行磨削而使其薄化时，由于在晶片的被加工面上产生加工应变等而使芯片的抗折强度降低，所以在对晶片进行磨削之后，不使用浆料而通过干式研磨的干抛光或被称为CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化学机械研磨)的化学机械研磨法对晶片的被加工面进行研磨，将加工应变去除。

这里，在已去除了加工应变的晶片中，产生了对作为器件的金属污染的原因的金属杂质进行捕捉的去疵效果消失的问题。因此，作为对晶片形成产生去疵效果的去疵层的加工装置，例如有下述的专利文献1所示的加工装置。在该加工装置中，在对晶片进行了磨削之后，通过研磨构件来实施使用CMP的研磨，之后，将浆料切换为纯水，一边向晶片的背面与研磨垫的研磨面之间提供纯水一边在晶片的背面上形成去疵层。

专利文献1：日本特许第5916513号公报

然而，在上述的加工装置中为了对浆料和纯水进行切换而在晶片的背面上形成去疵层，需要实现浆料完全不在研磨垫上附着的状态。也就是说，在浆料附着于研磨垫的状态下，无法在晶片的背面上形成希望的去疵层，需要对研磨垫进行清洗等。因此，存在如下问题：虽然晶片的磨削/研磨已结束，但形成去疵层要花费时间。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供加工装置，能够不花费时间而在晶片的被加工面上形成希望的去疵层。

本发明是在对晶片的被加工面实施了磨削和研磨之后在该被加工面上形成去疵层的加工装置，其中，该加工装置具有：转动工作台，其被配设成能够以中心为轴进行自转，该转动工作台将晶片对位于对晶片进行搬入搬出的搬入搬出区域、对晶片进行磨削的磨削区域以及对晶片进行研磨的研磨区域；保持工作台，其以该转动工作台的中心为中心按照等角度配设，具有对晶片进行保持的保持面；搬送构件，其相对于定位在该搬入搬出区域的该保持工作台对晶片进行搬入和搬出；磨削构件，其对定位于该磨削区域的该保持工作台所保持的晶片进行磨削而使晶片形成为规定的厚度；研磨构件，其对定位于该研磨区域的该保持工作台所保持的晶片的被加工面进行研磨；以及去疵层形成构件，其在定位于该搬入搬出区域的该保持工作台所保持的晶片的被加工面上形成去疵层，该去疵层形成构件具有：旋转构件，其具有以安装座的中心为轴进行旋转的主轴，其中在该安装座上安装了圆板状的去疵垫；以及升降构件，其使该旋转构件相对于该保持工作台的该保持面在垂直方向上进行升降。

并且，该加工装置也可以构成为具有水平移动构件，该水平移动构件使该上述旋转构件相对于上述保持工作台的上述保持面在水平方向上移动。