[发明专利]有机发光二极管的制备方法有效
| 申请号: | 201710765645.8 | 申请日: | 2017-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN109428009B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
| 发明(设计)人: | 宁文;柳鹏;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50;B82Y30/00 |
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| 地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 制备 方法 | ||
1.一种有机发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
提供一第一碳纳米管复合结构,该第一碳纳米管复合结构具有相对的第一表面和第二表面,该第一碳纳米管复合结构包括聚合物和分散在该聚合物中的多个第一碳纳米管,该多个第一碳纳米管的长度方向从所述第一表面延伸至所述第二表面,至少一个碳纳米管具有相对的第一端和第二端;所述第一碳纳米管复合结构的制备方法包括以下步骤:
提供一第二碳纳米管复合结构,该第二碳纳米管复合结构具有相对的第三表面和第四表面,第三表面至第四表面之间的垂直距离为所述第二碳纳米管复合结构的厚度,该第二碳纳米管复合结构包括所述聚合物和分散在该聚合物中的多个第二碳纳米管,所有第二碳纳米管的长度延伸方向垂直于所述第二碳纳米管复合结构的厚度方向;以及
沿着从第三表面至第四表面的方向将所述第二碳纳米管复合结构截断;
提供一预制结构,该预制结构包括一支撑体、一阳极电极、一空穴传输层和一有机发光层依次层叠设置;
将所述第一碳纳米管复合结构和所述预制结构层叠设置,且所述第一碳纳米管复合结构的第一表面与所述有机发光层直接接触;以及
在所述第一碳纳米管复合结构的第二表面设置一阴极电极,所述第一端与所述有机发光层直接接触,所述第二端与所述阴极电极直接接触。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法,其特征在于,沿着所述第二碳纳米管复合结构的厚度方向将所述碳纳米管复合结构截断。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述第二碳纳米管复合结构的制备方法包括以下步骤:
提供一基底,该基底具有一表面;
将一碳纳米管结构设置在所述表面上,该碳纳米管结构包括所述多个第一碳纳米管;
将一单体溶液涂覆在所述碳纳米管结构上,该单体溶液由一单体溶于一有机溶剂中形成;
使所述单体聚合;以及
去除所述基底。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管的制备方法,其特征在于,相邻第一碳纳米管之间具有间隙,在涂覆所述单体溶液的过程中,该单体溶液通过所述间隙渗透至所述基底的表面。
5.如权利要求3所述的有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述多个第一碳纳米管与所述基底的表面直接接触且平行于该基底的表面。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述多个第一碳纳米管的长度方向垂直于所述第一表面。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管的制备方法,其特征在于,每一个第一碳纳米管具有相对的两端,一端与所述有机发光层直接接触,另一端与所述阴极电极直接接触。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述多个第一碳纳米管相互平行且间隔设置。
9.一种有机发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
提供一第一碳纳米管复合结构,该第一碳纳米管复合结构具有相对的第一表面和第二表面,该第一碳纳米管复合结构包括聚合物和分散在该聚合物中的多个第一碳纳米管,该多个第一碳纳米管的长度方向从所述第一表面延伸至所述第二表面,至少一个碳纳米管具有相对的第一端和第二端;所述第一碳纳米管复合结构的制备方法包括以下步骤:
提供一第二碳纳米管复合结构,该第二碳纳米管复合结构具有相对的第三表面和第四表面,第三表面至第四表面之间的垂直距离定义为所述第二碳纳米管复合结构的厚度,该第二碳纳米管复合结构包括所述聚合物和分散在该聚合物中的多个第二碳纳米管,所有第二碳纳米管的延伸方向垂直于所述第二碳纳米管复合结构的厚度方向;以及
沿着从第三表面至第四表面的方向将所述第二碳纳米管复合结构截断;
在所述第一碳纳米管复合结构的第二表面设置一阴极电极;
提供一预制结构,该预制结构包括一支撑体、一阳极电极、一空穴传输层和一有机发光层依次层叠设置;以及
将所述第一碳纳米管复合结构和所述预制结构层叠设置,且所述第一碳纳米管复合结构的第一表面与所述有机发光层直接接触,所述第一端与所述有机发光层直接接触,所述第二端与所述阴极电极直接接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择





