[发明专利]一种氧化锌复合半导体材料的制备方法

说明书

取废弃的硫铁矿渣，将硫铁矿渣置于烧杯中，在加入同等质量的浓度的稀盐酸对硫铁矿渣进行改性，过滤得改性的硫铁矿渣；取改性后的硫铁矿渣，干燥后置于球磨罐中，球磨、过筛，得硫铁矿粉末；按重量份数计，取氧化锌粉末、十六烷基三甲基氯化铵和去离子水置于锥形瓶中，在超声分散下形成的白色悬浊液；取硫铁矿粉末添加至白色的悬浊液中，将锥形瓶放置在磁力搅拌器上搅拌；取多巴胺，将多巴胺溶解在Tris‑HCl缓冲液中，配制成多巴胺盐酸盐溶液；取多巴胺盐酸盐溶液，将多巴胺盐酸盐悬浊液倒入至多巴胺盐酸盐溶液中搅拌，室温下静置；过滤，用蒸馏水洗涤产物后置于烘箱内烘焙，静置冷却至室温，即得一种氧化锌复合半导体材料。

技术领域

本发明涉及一种氧化锌复合半导体材料的制备方法，属于复合材料技术领域。

背景技术

半导体是一种导电性可控，介于导体和绝缘体之间的材料。按化学成分可将半导体划分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体包括锗、硅和硒等，化合物半导体一般为第(Ⅲ与Ⅴ)族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第(Ⅱ与Ⅵ)族化合物(硫化、氧化锌等)、(锰、铬、铁、铜)的氧化物等。另外还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。在众多的半导体体材料中，无机化合物半导体材料应用也较为广泛，常见的有：ZnS、CdS、ZnO、SnO₂、CdSe和TiO₂等等。当今，以半导体材料为原料合成的各种产品已经广泛风靡人们的生活，已经成为国家经济发展、科技先进和强大国防的重要衡量标准。其中无机化合物半导体因其独特的禁带宽度、光吸收系数及电子迁移率使之在催化、传感器及光电领域有着潜在的应用价值。作用机理可简述为：无机半导体材料在光照的条件(能量大于或等于其禁带宽度)下，将价带(填满电子)上的电子激发到导带(没有电子)，这样形成的高活性的光生电子和空穴对使无机半导体材料发挥重大的作用。如采用溶胶-凝胶法成功合成了钛矿纳米TiO₂半导体，并探讨和研究锐钛矿纳米TiO₂对二氯苯酚自然光光催化降解效率及其在其它有机污染物降解中的潜在应用价值；课题组借助 CTAB的辅助作用，采用复合溶剂热法制备出介孔SnO₂，通过其对乙醇的灵敏度测试显示，所合成SnO₂独特的内部结构在其超强的气敏传感性中发挥了重要的作用，有望应用于气体传感器中；工作组利用锌泊作为锌源，水热制备出介孔的纳米氧化锌薄膜，光催化降解有机污染物实验显示，该纳米膜具有优异的光催化性质，有望其在污水处理方面发挥重要用途。课题组在氧化硅基板上，利用热蒸发合成了SnO₂纳米棒，通过研究其对氢气的灵敏度，有望其在感应器件产品方面释放价值。随着不断的深入研究，科研工作者发现，单一半导体材料在某些方面也出现了不同程度的缺陷，比如：二氧化钛，TiO₂是一种被广泛研究的光催化剂，但其在光催化过程中，对可见光响应效率低，光解产生的电子和空穴对复合率高，对污染物的吸附性差；而有较好可见光响应的CdS和CdSe半导体光催化剂容易发生光腐蚀现象等等，这些缺陷在不同程度上限制了半导体材料的应用。为了解决这些问题，科研工作者转向了复合半导体的研究，通过有效组装两种或两种以上纳、微米结构单元，可以优化材料性能，实现材料的多功能化。因此，在复合半导体的合成过程中，适当的修复，裁剪和组装可有效拓宽光电响应，使半导体材料在光催化和光电化学方面发挥应有的价值。氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体材料，在许多领域均有广泛的应用价值。然而，在实际的制备过程中，由于很难控制制备过程中出现的空位和缺陷，致使氧化锌(ZnO)性能的稳定性和效率往往不能满足实际工作器件的需求，影响了纳米氧化锌的应用范围。有文献报道，表面复合或表面修饰是改善纳米结构材料的一种先进和具有挑战的方法。因此在氧化锌的表面引入另外一种材料，并因此拓宽了氧化锌的应用领域已经成为近几年科研工作者关注的焦点。

发明内容

本发明所要解决的技术问题：针对二氧化钛光解产生的电子和空穴对复合率高，对污染物的吸附性差的问题，提供了一种氧化锌复合半导体材料的制备方法。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：