[发明专利]一种平行同轴安装电极组合及功率模块在审

专利信息
申请号: 201710764821.6 申请日: 2017-08-30
公开(公告)号: CN107393889A 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 滕鹤松;徐文辉;王玉林 申请(专利权)人: 扬州国扬电子有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/482;H01L23/538
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 代理人: 饶欣
地址: 225101 江苏省扬*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 平行 同轴 安装 电极 组合 功率 模块
【权利要求书】:

1.一种平行同轴安装电极组合,其特征在于:包括第一功率模块电极和第二功率模块电极,第一功率模块电极的焊接部和第二功率模块电极的焊接部分别用于连接功率模块内部的电源铜层,第一功率模块电极的连接部与第二功率模块电极的连接部平行正对且分别设有连接孔,第一功率模块电极连接部上的连接孔与第二功率模块电极连接部上的连接孔同轴。

2.采用根据权利要求1所述的平行同轴安装电极组合的功率模块,其特征在于:包括上半桥基板和下半桥基板,上半桥基板上设有上半桥IGBT芯片和上半桥二极管芯片,下半桥基板上设有下半桥IGBT芯片和下半桥二极管芯片,第一功率模块电极和第二功率模块电极分别作为正负极,此外还包括输出电极;上半桥IGBT芯片开通后的工作电流路径为:工作电流从第一功率模块电极连接部流入,通过绑定线流入上半桥基板,流经上半桥IGBT芯片后通过绑定线流出至输出电极;上半桥IGBT芯片关断后的续流电流路径为:续流电流从第二功率模块电极连接部流入,通过绑定线流入下半桥基板,流经下半桥二极管芯片后通过绑定线流出至输出电极;下半桥IGBT芯片开通后的工作电流路径为:工作电流从第二功率模块电极连接部流入,通过绑定线流入下半桥基板,流经下半桥IGBT芯片后通过绑定线流出至输出电极;下半桥IGBT芯片关断后的续流电流路径为:续流电流从第一功率模块电极连接部流入,通过绑定线流入上半桥基板,流经上半桥二极管芯片后通过绑定线流出至输出电极。

3.采用根据权利要求1所述的平行同轴安装电极组合的功率模块,其特征在于:包括底部基板和顶部基板,底部基板上设有上半桥芯片和中间基板,中间基板上设有下半桥芯片,第一功率模块电极和第二功率模块电极分别作为正负电极,此外还包括输出电极;工作时,工作电流从第一功率模块电极连接部流入底部基板,流经上半桥芯片后流至顶部基板,再通过输出电极连接部流出;续流时,续流电流从第二功率模块电极连接部流入,通过顶部基板流至下半桥芯片,接着流入中间基板,再流至顶部基板,通过输出电极连接部流出。

4.根据权利要求3所述的功率模块,其特征在于:所述底部基板上表面设有正电极铜层,顶部基板下表面设有分离的负电极铜层和输出电极铜层。

5.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于:所述上半桥芯片与输出电极铜层之间设有第一连接块。

6.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于:所述下半桥芯片与负电极铜层之间设有第二连接块。

7.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于:所述中间基板与输出电极铜层之间设有连接柱。

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