[发明专利]一种多支路交错排布的双面散热功率模块

权利要求书

1.一种多支路交错排布的双面散热功率模块，包括正极功率端子(1)、负极功率端子(2)和输出功率端子(3)，其特征在于，所述正极功率端子(1)和负极功率端子(2)各连接一个金属绝缘基板(4)，两个金属绝缘基板(4)叠层设置，与正极功率端子(1)相连的金属绝缘基板(4)上设有芯片，芯片通过烧结的金属块(5)与其对面的金属绝缘基板(4)相连，与负极功率端子(2)相连的金属绝缘基板(4)还与输出功率端子(3)相连，所述芯片包括多个上半桥开关芯片(6)和下半桥开关芯片(7)；多个上半桥开关芯片(6)与下半桥开关芯片(7)彼此交错排布，每个下半桥开关芯片(7)均烧结在一个独立的下半桥金属层(8)上，所有的上半桥开关芯片(6)共同烧结在一个上半桥金属层(9)上，上半桥金属层(9)与正极功率端子(1)相连。

2.根据权利要求1所述的一种多支路交错排布的双面散热功率模块，其特征在于，所述上半桥金属层(9)为齿形结构，一个上半桥开关芯片(6)分布在一个齿内。

3.根据权利要求1所述的一种多支路交错排布的双面散热功率模块，其特征在于，所述正极功率端子(1)与负极功率端子(2)叠层设置。

4.根据权利要求3所述的一种多支路交错排布的双面散热功率模块，其特征在于，所述正极功率端子(1)与负极功率端子(2)的连接孔为同轴孔。

5.根据权利要求1所述的一种多支路交错排布的双面散热功率模块，其特征在于，所述与正极功率端子(1)相连的金属绝缘基板(4)上还设有上半桥发射极/源极金属层(411)、下半桥发射极/源极金属层(412)、与上半桥开关芯片(6)的门极相连的上半桥门极金属层(413)、以及与下半桥开关芯片(7)的门极相连的下半桥门极金属层(414)；上半桥门极金属层(413)还连接有上半桥驱动端子(10)，下半桥门极金属层(414)还连接有下半桥驱动端子(11)，上半桥发射极/源极金属层(411)以及下半桥发射极/源极金属层(412)均通过烧结的金属块(5)与其各自对面的金属绝缘基板(4)相连。

6.根据权利要求5所述的一种多支路交错排布的双面散热功率模块，其特征在于，所述与正极功率端子(1)相连的金属绝缘基板(4)上还设有下半桥门极过渡金属层(415)，部分下半桥开关芯片(7)的门极通过键合线连接至下半桥门极过渡金属层(415)，下半桥门极过渡金属层(415)再通过键合线连接至下半桥门极金属层(414)；所述上半桥开关芯片(6)的门极与上半桥门极金属层(413)也通过键合线相连。

7.根据权利要求5所述的一种多支路交错排布的双面散热功率模块，其特征在于，所述与正极功率端子(1)相连的金属绝缘基板(4)上还设有第一输出金属层(416)，第一输出金属层(416)通过烧结的金属块(5)与其对面的输出功率端子(3)所烧结的金属层相连，第一输出金属层(416)上还连接有采样端子(12)；所述上半桥金属层(9)上也连接有采样端子(12)。

8.根据权利要求1所述的一种多支路交错排布的双面散热功率模块，其特征在于，所述与负极功率端子(2)相连的金属绝缘基板(4)上设有与输出功率端子(3)烧结的第二输出金属层(421)以及与负极功率端子(2)烧结的负极端子金属层(422)，所述第二输出金属层(421)与负极端子金属层(422)呈齿形交错排布。

9.根据权利要求1所述的一种多支路交错排布的双面散热功率模块，其特征在于，还包括上半桥二极管芯片(13)和下半桥二极管芯片(14)，所述上半桥二极管芯片(13)与上半桥开关芯片(6)成对设置，下半桥二极管芯片(14)与下半桥开关芯片(7)成对设置，成对设置的两个芯片所烧结的金属层相同。

10.根据权利要求1所述的一种多支路交错排布的双面散热功率模块，其特征在于，所述两个金属绝缘基板(4)的外侧均设有散热装置。