[发明专利]半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。要解决的问题为能够容易地掌握处理室的状态。为解决上述问题，提供一种具有下述工序的技术：预热工序，在处理室中不存在衬底的状态下，对设置于处理室的加热部、和控制处理室的气氛的气氛控制部进行控制，并且对表示处理室的状态的第一处理室数据进行检测；和衬底处理工序，在处理室中存在衬底的状态下，控制加热部和气氛控制部，对衬底进行处理，并且对表示处理室的状态的第二处理室数据进行检测；在衬底处理工序中，将第一处理室数据及第二处理室数据、与预先取得的预热工序中的第一基准数据及衬底处理工序中的第二基准数据一同在显示画面中显示。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。

背景技术

衬底处理装置存在工作状态和非工作状态。例如，当在批次间进行的维护、衬底搬入前的装置启动时等、作为处理对象的晶片在衬底处理装置内不存在时，衬底处理装置的处理室以非工作状态而被放置。在向处理室搬入晶片的阶段，进入工作状态，并进行规定的衬底处理。

发明内容

发明要解决的问题

若处于非工作状态，则存在从规定的衬底处理条件偏离的情况。例如，处理室的温度变得低于规定的温度。因此，存在下述情况：从非工作状态即进入工作状态而最初处理的衬底、与进入工作状态而在数张后处理的晶片之间，在处理状态方面存在差异。在这种情况下，由于晶片间处理条件不同，因此会发生品质不均。因此，在处理衬底前，使处理室接近衬底处理条件从而调整处理条件。例如，在将批次的最初的衬底投入前，使加热器等工作，使加热器温度接近处理条件。由此，能够使最初的衬底也与处理数张衬底后的情况为同样的条件，结果，能够防止衬底处理的品质不均。(例如专利文献1)

然而，为更确实地抑制品质不均，需要掌握更正确的处理室状态。

因此，本发明的目的在于，提供能够容易地掌握处理室状态的技术。

专利文献1：日本特开2009-231809

用于解决问题的手段

为解决上述问题，提供一种技术，所述技术具有下述工序：预热工序，在处理室中不存在衬底的状态下，对设置于所述处理室的加热部、和控制所述处理室的气氛的气氛控制部进行控制，并且对表示所述处理室的状态的第一处理室数据进行检测；和衬底处理工序，在所述处理室中存在衬底的状态下，控制所述加热部和所述气氛控制部，对衬底进行处理，并且对表示所述处理室的状态的第二处理室数据进行检测；在所述衬底处理工序中，将所述第一处理室数据及所述第二处理室数据、与预先取得的所述预热工序中的第一基准数据及所述衬底处理工序中的第二基准数据一同在显示画面中显示。

发明效果

根据本发明的技术，能够提供能够容易掌握处理状态的技术。

附图说明

图1是说明本实施方式涉及的衬底处理装置的处理流程的说明图。

图2是说明本实施方式涉及的衬底处理装置的说明图。

图3是说明本实施方式涉及的衬底处理装置的说明图。

图4是说明本发明的实施方式涉及的晶盒的说明图。

图5是表示本发明的实施方式涉及的反应器的概略构成例的说明图。

图6是说明本实施方式涉及的衬底处理装置的说明图。

图7是说明本发明的实施方式涉及的表格的一例的说明图。

图8是说明本发明的实施方式涉及的表格的一例的说明图。

图9是说明本实施方式涉及的反应器的状态的说明图。

图10是说明本实施方式涉及的反应器的状态的说明图。