[发明专利]一种多区域并列排布的双面散热功率模块

权利要求书

1.一种多区域并列排布的双面散热功率模块，包括正极功率端子(1)、负极功率端子(2)和输出功率端子(3)，其特征在于，正极功率端子(1)和负极功率端子(2)各连接一个金属绝缘基板(4)，两个金属绝缘基板(4)叠层设置，与正极功率端子(1)相连的金属绝缘基板(4)上烧结有上半桥芯片与下半桥芯片；

与负极功率端子(2)相连的金属绝缘基板(4)上设有环形绝缘槽(5)，环形绝缘槽(5)内包围的金属层与上半桥芯片通过金属块(6)相连，环形绝缘槽(5)外的金属层通过金属块与输出功率端子(3)相连，且与下半桥芯片通过金属块(6)相连；

或者，与正极功率端子(1)相连的金属绝缘基板(4)上设有上设有环形绝缘槽(5)，环形绝缘槽(5)内包围的金属层上烧结有下半桥芯片，环形绝缘槽(5)外的金属层通过金属块与输出功率端子(3)相连，且其上烧结有上半桥芯片；

上半桥芯片与下半桥芯片通过金属块(6)与其对面的金属层相连。

2.根据权利要求1所述的一种多区域并列排布的双面散热功率模块，其特征在于，所述正极功率端子(1)与负极功率端子(2)叠层设置。

3.根据权利要求2所述的一种多区域并列排布的双面散热功率模块，其特征在于，所述正极功率端子(1)与负极功率端子(2)的连接孔为同轴孔。

4.根据权利要求1所述的一种多区域并列排布的双面散热功率模块，其特征在于，当与负极功率端子(2)相连的金属绝缘基板(4)上设有环形绝缘槽(5)时，与正极功率端子(1)相连的金属绝缘基板(4)上设有正极金属层(401)、负极金属层(402)、上半桥门极金属层(403)、下半桥门极金属层(404)和下半桥发射极/源极金属层(405)；正极金属层(401)上烧结有正极功率端子(1)和上半桥芯片，负极金属层(402)上烧结有输出功率端子(3)和下半桥芯片；上半桥芯片包括上半桥开关芯片(7)和上半桥二极管芯片(8)，下半桥芯片包括下半桥开关芯片(9)和下半桥二极管芯片(10)，上半桥开关芯片(7)的门极与上半桥门极金属层(403)相连，下半桥开关芯片(9)的门极与下半桥门极金属层(404)相连；下半桥发射极/源极金属层(405)通过烧结的金属块(6)与其对面的金属绝缘基板(4)上环形绝缘槽(5)外的金属层相连；上半桥门极金属层(403)还连接有上半桥驱动端子(11)，下半桥门极金属层(404)还连接有下半桥驱动端子(12)。

5.根据权利要求1所述的一种多区域并列排布的双面散热功率模块，其特征在于，当与正极功率端子(1)相连的金属绝缘基板(4)上设有环形绝缘槽(5)时，该金属绝缘基板(4)上设有第二正极金属层(411)、被环形绝缘槽(5)包围的第二负极金属层(412)、第二上半桥门极金属层(413)和第二下半桥门极金属层(414)；第二正极金属层(411)上烧结有正极功率端子(1)和上半桥芯片，第二负极金属层(412)上烧结有和下半桥芯片，且与输出功率端子(3)通过金属块相连；上半桥芯片包括上半桥开关芯片(7)和上半桥二极管芯片(8)，下半桥芯片包括下半桥开关芯片(9)和下半桥二极管芯片(10)，上半桥开关芯片(7)的门极与第二上半桥门极金属层(413)相连，下半桥开关芯片(9)的门极与第二下半桥门极金属层(414)相连；第二上半桥门极金属层(413)还连接有上半桥驱动端子(11)，第二下半桥门极金属层(414)还连接有下半桥驱动端子(12)。

6.根据权利要求1所述的一种多区域并列排布的双面散热功率模块，其特征在于，其中一个金属绝缘基板(4)上设有温度采样金属层(406)，温度采样金属层(406)的表面烧结有温度传感元件(13)和温度采样端子(14)。

7.根据权利要求3或4所述的一种多区域并列排布的双面散热功率模块，其特征在于，上半桥开关芯片(7)的门极与上半桥门极金属层(403)之间、下半桥开关芯片(9)的门极与下半桥门极金属层(404)之间，均通过键合线相连。

8.根据权利要求1所述的一种多区域并列排布的双面散热功率模块，其特征在于，所述两个金属绝缘基板(4)的外侧均设有散热装置。

9.根据权利要求1所述的一种多区域并列排布的双面散热功率模块，其特征在于，还包括塑封外壳，两个金属绝缘基板(4)位于外侧的金属层的中间部分均露出在塑封外壳的外部，并且高出塑封外壳。