[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201710762641.4 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN107450239A | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 袁帅;刘晓那;陈玉琼;王孟杰;李宁;吴臣臣;郑子易 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括由横纵交错排布的栅线和数据线界定的、位于显示区域的多个亚像素,其特征在于,所述阵列基板还包括设置于衬底基板上的公共电极和像素电极;
所述公共电极包括:
多个第一条状子电极,其中,每个第一条状子电极均贯穿所述显示区域;将所有所述第一条状子电极电连接的所述公共电极线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一条状子电极与所述数据线平行设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一条状子电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述数据线在所述衬底基板上的正投影。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述像素电极为面状电极,所述公共电极位于所述像素电极背离所述衬底基板的一侧;
或者,所述像素电极为狭缝电极,在所述亚像素内,所述第一条状子电极与所述像素电极的狭缝位置对应。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极线与所述第一条状子电极位于相邻层、且直接接触。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极线位于所述第一条状子电极背离所述衬底基板的一侧。
7.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极线与所述栅线平行设置。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极线为多个;
所有所述第一条状子电极中对应一行亚像素的部分与一条所述公共电极线连接。
9.根据权利要求1-8任一项所述的阵列基板,其特征在于,每一所述亚像素中均包括一薄膜晶体管,所述第一条状子电极在正对所述薄膜晶体管的位置断开。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
11.一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括由横纵交错排布的栅线和数据线界定的、位于显示区域的多个亚像素,其特征在于,所述制作方法包括:
在衬底基板上形成位于每一所述亚像素中的像素电极;
在形成所述像素电极的衬底基板上形成公共电极中的多个平行设置的第一条状子电极,其中,每个第一条状子电极均贯穿所述显示区域;
在形成有所述第一条状子电极的衬底基板上直接形成将所有所述第一条状子电极电连接的公共电极线。
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