[发明专利]一种基于有机场效应管氨气传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于有机场效应晶体管氨气传感器，包括从下至上依次设置的衬底层、栅电极、介电层和有机半导体层，所述有机半导体层的上端连接有源电极和漏电极，其特征在于，所述介电层的材料为蛋清蛋白；所述有机半导体层由加入有质量比为5％-15％的蛋清蛋白的可溶性有机半导体材料制作而成。

2.根据权利要求1所述的基于有机场效应晶体管氨气传感器，其特征在于，所述蛋清蛋白为鸡蛋清、鸭蛋清、鹅蛋清或鸵鸟蛋清。

3.根据权利要求1所述的基于有机场效应晶体管氨气传感器，其特征在于，所述可溶性有机半导体材料为聚3-己基噻吩、Tips-并五苯、含硅氧烷的聚异戊二烯衍生物或PBTTT系列的中一种。

4.根据权利要求1所述的基于有机场效应晶体管氨气传感器，其特征在于，所述有机半导体层的厚度为25～100nm。

5.根据权利要求1所述的基于有机场效应晶体管氨气传感器，其特征在于，所述栅电极、源电极和漏电极材料为金属纳米线，金属纳米线为铁纳米线、铜纳米线、银纳米线、金纳米线、铝纳米线、镍纳米线、钴纳米线、锰纳米线、镉纳米线、铟纳米线、锡纳米线、钨纳米线和铂纳米线中的一种。

6.一种基于有机场效应晶体管氨体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①利用洗涤剂、丙酮溶液、去离子水和异丙醇溶液对衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干；

②在衬底层表面制备栅电极；

③在栅电极上面制备介电层；

④将蛋清蛋白与可溶性有机半导体材料进行按比例超声混合；用混合后的溶液在介电层上制备有机半导体层；

⑤在有机半导体层上制备源电极和漏电极。

7.根据权利要求6所述的基于有机场效应晶体管氨体传感器的制备方法，其特征在于，步骤③中，介电层通过旋涂、辊涂、滴膜、压印、印刷或喷涂中的一种方法进行制备。

8.根据权利要求6所述的基于有机场效应晶体管氨体传感器的制备方法，其特征在于，步骤④中，所述有机半导体层是通过动甩旋涂、辊涂、滴膜、压印、印刷或喷涂中的一种方法进行制备。

9.根据权利要求6所述的基于有机场效应晶体管氨体传感器的制备方法，其特征在于，步骤②和⑤中，栅电极、源电极、漏电极是通过真空热蒸镀、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积、丝网印刷、打印或旋涂中的一种方法进行制备。