[发明专利]一种用于实现与PCB板免焊垂直互连的射频同轴结构在审
申请号: | 201710762345.4 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107611730A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 肖顺群;匡秀娟 | 申请(专利权)人: | 上海航天科工电器研究院有限公司 |
主分类号: | H01R24/50 | 分类号: | H01R24/50 |
代理公司: | 合肥鼎途知识产权代理事务所(普通合伙)34122 | 代理人: | 王学勇 |
地址: | 200333 上海市普*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 实现 pcb 板免焊 垂直 互连 射频 同轴 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种射频射频同轴结构,尤其是一种用于印制电路板(PCB板)免焊垂直互连的射频同轴结构,属于电接触互联技术领域。
背景技术
印制电路板(PCB板)的信号传输有多种接触形式,通常在PCB板上设有若干个电镀通孔,通过外部通孔与外部电路接触进行信号传输。一般这种连接结构适合于连接器直接插拔,即由连接器的接触引脚直接与电镀通孔配合,实现系统互联与信号传输。
而对于射频连接器来说,比如现有的SMA、BNC、TNC等系列射频连接器来说,其结构形式为射频同轴结构,其与现有的PCB板无法进行插合,无法与PCB板上的电镀通孔直接进行匹配插合。
因此,现有的解决方案是:再设置一个转接头,其一端可以与PCB板上的电镀通孔配合,另一端与射频连接器同轴结构进行匹配。这种结构显然增加了使用成本,更重要的是,现有安装空间已经非常狭小,无法再安装转接头;此外,射频同轴结构与PCB板互配时,由于受力方向与PCB板有夹角,易导致连接不可靠,无法满足实际使用需求。
发明内容
本发明正是针对现有技术存在的不足,提供一种用于实现与PCB板免焊垂直互连的射频同轴结构。
为解决上述问题,本发明所采取的技术方案如下:
一种用于实现与PCB板免焊垂直互连的射频同轴结构,所述射频同轴结构与PCB板插合匹配,其特征是,
所述射频同轴结构包括:内导体,内导体上远离射频同轴结构与PCB板插合匹配面的一端称为内导体后端,内导体上靠近射频同轴结构与PCB板插合匹配面的一端称为内导体前端内导体中间位置为内导体弹性体,内导体后端、内导体弹性体、内导体前端组成完整的内导体,所述内导体上设置有防止脱离的带有锥度的台阶;
所述射频同轴结构包括:绝缘材质的介质体以及铜基合金材质的主外导体,所述内导体通过过盈配合压入介质体,所述介质体外部设置主外导体,介质体通过过盈配合压入主外导体中;
所述射频同轴结构包括:定位外导体,所述定位外导体中间位置设置有外导体弹性体,主外导体通过过盈配合压入定位外导体中,与外导体弹性体直接接触。
所述内导体、介质体、主外导体和定位外导体形成射频同轴结构。
作为上述技术方案的改进,所述台阶嵌入介质体中,台阶迫使内导体和介质体连接固定在一起。
作为上述技术方案的改进,所述定位外导体为圆筒状,在定位外导体靠近射频同轴结构与PCB板插合匹配面的一端称为外导体前端,在外导体前端内侧设置有实现浮动安装的喇叭口。
本发明与现有技术相比较,本发明的实施效果如下:
本发明所述用于免焊垂直互连的射频同轴结构,将现有射频同轴结构直接安装在PCB板上,不再需要进行转接,不仅减轻重量,且不占用多余的安装空间;定位外导体保证了射频同轴结构垂直安装在PCB板上,此外,其安装空间要求已经降到最低,这符合现有小型化、微型化的技术发展趋势。该结构通过过盈配合压入PCB板,可以实现多次无损免焊互连安装与拆卸,装卸方便,便于后续维护与更换,满足实际使用需求。
附图说明
图1为本发明所述射频同轴结构与印制板安装前结构示意图;
图2为本发明所述射频同轴结构与印制板安装后结构示意图;
图3为本发明所述射频同轴结构中内导体结构示意图;
图4为本发明所述射频同轴结构中定位外导体结构示意图。
具体实施方式
下面将结合具体的实施例来说明本发明的内容。
如图1~图4所示,本发明所述射频同轴结构,用来与PCB板50免焊垂直互连,所述射频同轴结构包括内导体10,内导体10上远离射频同轴结构与PCB板50插合匹配面的一端称为内导体后端11,内导体10上靠近射频同轴结构与PCB板50插合匹配面的一端称为内导体前端13,内导体10中间位置为内导体弹性体12,内导体后端11、内导体弹性体12、内导体前端13组成完整的内导体10,所述内导体10上设置有防止脱离的带有锥度的台阶14,如图3所示。
本发明所述射频同轴结构,包括绝缘材质的介质体20以及铜基合金材质的主外导体30,所述内导体10通过过盈配合压入介质体20,台阶14嵌入介质体20中,迫使内导体10和介质体20连接固定在一起。所述介质体20外部设置主外导体30,介质体20通过过盈配合压入主外导体30中。
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