[发明专利]一种像素电路、像素结构和显示面板有效

专利信息
申请号: 201710759621.1 申请日: 2017-08-29
公开(公告)号: CN107479281B 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 刘德强;王菲菲;朱宁;董霆;孙志华;高玉杰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;G02F1/133
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张京波;曲鹏
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 电路 结构 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,包括第一薄膜晶体管、栅线和像素电极,还包括感光单元,所述感光单元的第一端和第二端分别与所述栅线和所述像素电极连接,所述感光单元用于在接收到光信号时,将所述栅线的信号传输至所述像素电极。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述感光单元包括感光器件和第二薄膜晶体管,所述感光器件的第一极与所述栅线连接,所述感光器件的第二极与所述第二薄膜晶体管的控制极连接,所述第二薄膜晶体管的第一极连接至所述第二薄膜晶体管的控制极,所述第二薄膜晶体管的第二极与所述像素电极连接。

3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述感光器件的感光结构和所述第二薄膜晶体管的有源层均与所述第一薄膜晶体管的有源层同层设置,通过一次构图工艺形成。

4.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述感光器件的第一极、所述感光器件的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极均与所述第一薄膜晶体管的源漏极同层设置,通过一次构图工艺形成。

5.根据权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述第二薄膜晶体管的第二极与所述第一薄膜晶体管的源漏极同层设置,通过一次构图工艺形成;或者,所述第二薄膜晶体管的第二极与所述像素电极同层设置,通过一次构图工艺形成。

6.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述感光单元包括光敏二极管,所述光敏二极管的正极与所述栅线连接,所述光敏二极管的负极与所述像素电极连接。

7.根据权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述光敏二极管的感光结构与所述第一薄膜晶体管的有源层同层设置,通过一次构图工艺形成。

8.根据权利要求7所述的像素电路,其特征在于,所述正极和负极均与所述第一薄膜晶体管的源漏极同层设置,通过一次构图工艺形成;或者,

所述正极与所述第一薄膜晶体管的源漏极同层设置,通过一次构图工艺形成,所述负极与所述像素电极同层设置,通过一次构图工艺形成。

9.一种像素结构,包括多个亚像素单元,其特征在于,至少一个亚像素单元包括如权利要求1-8中任一项所述的像素电路,至少一个亚像素单元包括辅助感光单元,所述辅助感光单元的第一端和第二端分别与所在亚像素单元的像素电极和公共电极线连接,所述辅助感光单元用于在接收到光信号时,将所述像素电极的信号传输至所述公共电极线。

10.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,所述辅助感光单元包括辅助感光器件和第三薄膜晶体管,所述辅助感光器件的第一极与所在亚像素单元的像素电极连接,所述辅助感光器件的第二极与所述第三薄膜晶体管的控制极连接,所述第三薄膜晶体管的第一极连接至所述第三薄膜晶体管的控制极,所述第三薄膜晶体管的第二极与所述公共电极线连接。

11.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,所述辅助感光单元包括辅助光敏二极管,所述辅助光敏二极管的正极与所在亚像素单元的像素电极连接,所述辅助光敏二极管的负极与所述公共电极线连接。

12.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8中任一项所述的像素电路或包括如权利要求9-11中任一项所述的像素结构;

所述显示面板上设置有用于使所述感光单元接收光信号的透光区域。

13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,还包括黑矩阵,所述透光区域设置在所述黑矩阵中。

14.根据权利要求12或13所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板上还设置有用于防止所述透光区域漏光的遮光结构。

15.根据权利要求14所述的显示面板,其特征在于,所述遮光结构与所述栅线同层设置,通过一次构图工艺形成。

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