[发明专利]形成介电膜的方法及制作半导体装置的方法

权利要求书

1.一种形成介电膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

在腔室中提供衬底；以及

通过原子层沉积在所述衬底上形成氮化硅膜，

其中所述通过原子层沉积形成所述氮化硅膜包括：将包含六氯二硅氮烷的第一气体作为硅前体引入到所述腔室中并将含有氮化气体的第二气体引入到所述腔室中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过原子层沉积形成所述氮化硅膜进一步包括：

将第一吹洗气体引入到所述腔室中以移除未反应的第一气体，以及

将第二吹洗气体引入到所述腔室中以移除未反应的第二气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述衬底上形成栅极，且

其中所述氮化硅膜形成在所述栅极的侧表面上。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硅膜在500℃下具有小于4.5nm/min的湿蚀刻速率。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二气体包含氮气及氨气中的至少一种。

6.一种制作半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

在沉积腔室中提供衬底，所述衬底上形成有界定台阶的结构；以及

通过原子层沉积在所述台阶上原位地形成介电膜结构，所述介电膜结构包含由氮化硅形成的第一介电膜，

其中所述形成由氮化硅形成的所述第一介电膜包括将六氯二硅氮烷作为硅前体引入到所述沉积腔室中，

其中所述形成由氮化硅形成的所述第一介电膜进一步包括：

在将所述六氯二硅氮烷引入到所述沉积腔室中之后，将第一吹洗气体引入到所述腔室中，以从所述腔室移除未与界定所述台阶的所述结构反应的第一气体，

将含有氮化气体的第二气体引入到所述腔室中，且

将第二吹洗气体引入到所述腔室中，以移除界定所述台阶的所述结构的表面上未与所述第一气体反应的第二气体。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成所述介电膜结构进一步包括：

在形成所述第一介电膜之前在所述衬底上形成由氧化硅形成的第二介电膜，使得由氧化硅形成的所述第二介电膜夹置在所述衬底与所述第一介电膜之间。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成所述介电膜结构进一步包括：

在所述衬底上形成全局位线，以及

在所述全局位线上形成由氧化硅形成的所述第二介电膜。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成所述介电膜结构进一步包括：

在所述衬底上形成电荷存储膜，以及

在所述电荷存储膜上形成由氧化硅形成的所述第二介电膜。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在所述衬底上形成第一栅极图案及第二栅极图案；

形成包围所述第一栅极图案及所述第二栅极图案的绝缘膜；以及

在所述绝缘膜中在所述第一栅极图案与所述第二栅极图案之间形成沟槽，以及

其中所述第一介电膜形成在所述绝缘膜的界定所述沟槽的侧面的表面上。

11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述介电膜结构是使用所述第一介电膜作为掩模来蚀刻。

12.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一介电膜在500℃下具有小于4.5nm/min的湿蚀刻速率。

13.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述结构的所述台阶的高度对宽度的比率等于或大于10。